| 1 |
1
나노선;
상기 나노선과 교차접합되는 라인 패턴 형태의 나노입자막; 및
상기 나노입자막 및 상기 나노선의 양단에 각각 형성되는 전극을 포함하여, 상기 나노입자막의 전극 중 선택된 어느 하나에서 상기 나노선의 전극 중 선택된 어느 하나로 이어지는 경로에서 정류특성을 나타내는 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 나노선의 지름은 10 ~ 500㎚이고, 길이는 100㎚ ~ 30㎛인 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 라인 패턴의 선폭은 10㎚ ~ 10㎛이고, 길이는 100㎚ ~ 30㎛인 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 나노선은 n형 반도체 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것이고, 상기 나노입자막은 p형 반도체 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, SiC, ZnO, CdTe, HgTe, Cu2O, CuAlO2, CuGaO 및 PbS 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 나노선은 p형 반도체 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, SiC, ZnO 및 CuO 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것이고, 상기 나노입자막은 n형 반도체 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, SiC, ZnO, HgSe 및 CdS 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드
|
| 6 |
6
절연층 상부에 나노선을 형성하는 단계;
상기 나노선 및 상기 절연층 상부에 상기 나노선과 교차접합되는 라인 패턴 형태의 나노입자막을 형성하는 단계; 및
상기 나노입자막의 양단에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하고, 상기 나노선의 양단에 각각 제 3 전극 및 제 4 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,
상기 나노입자막을 형성하는 단계는
상기 절연층 상부에 라인/스페이스 타입의 감광막 패턴을 형성하는 단계;
상기 감광막 패턴 사이의 영역에 나노입자막을 스핀 코팅(Spin Coating) 방법으로 형성하는 단계;
상기 나노입자막을 경화시키는 단계; 및
상기 감광막 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드 제조 방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,
상기 나노입자막을 경화시키는 단계는 50 ~ 300℃의 온도에서 1분 ~ 1시간 가열하는 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드 제조 방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,
상기 절연층은
유리, 나무, 플라스틱 및 고무 중에서 어느 하나로 이루어지거나,
SiO2층이 형성된 실리콘 기판 및 Al2O3층이 형성된 실리콘 기판 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드 제조 방법
|
| 10 |
10
SiO2층 상부에 n형 ZnO 나노선을 형성하는 단계;
상기 n형 ZnO 나노선 및 상기 SiO2층 상부에 상기 n형 ZnO 나노선과 교차접합되는 라인 패턴 형태의 p형 HgTe 나노입자막을 형성하는 단계; 및
상기 p형 HgTe 나노입자막의 양단에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하고, 상기 n형 ZnO 나노선의 양단에 각각 제 3 전극 및 제 4 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 pn 이종접합 다이오드 제조 방법
|
