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투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015131849
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자 제조 방법은 (a)투명 기판이나 플렉시블 기판 상에 게이트 전극용 제1 투명 전극층을 형성하는 단계; (b)상기 제1 투명 전극층 상에 제1 투명 절연층을 형성하는 단계; (c)상기 제1 투명 절연층 상에 전하를 저장하기 위한 투명 부유 게이트를 형성하는 단계; (d)상기 투명 부유 게이트 상에 제2 투명 절연층을 형성하는 단계; (e)상기 제2 투명 절연층 상에 투명 채널층을 형성하는 단계; 및 (f)상기 투명 채널층과 전기적으로 연결되도록 소스 전극 및 드레인 전극용 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 종래의 실리콘 기반의 불투명 기판을 이용하는 경우에 비하여 상대적으로 저온 및 간단한 공정으로 투명 혹은 플렉시블 비휘발성 메모리 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01) H01L 29/66825(2013.01)
출원번호/일자 1020090067518 (2009.07.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0010019 (2011.01.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120035775;
심사청구여부/일자 Y (2009.07.23)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 대한민국 서울특별시 송파구
2 조경아 대한민국 서울특별시 광진구
3 박병준 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0451581-74
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0055440-50
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0478229-94
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0146941-36
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0362561-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0362560-19
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0700869-97
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.12.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-1053454-31
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-1053455-87
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0067578-13
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.03.07 수리 (Accepted) 7-1-2012-0011124-13
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0274842-26
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.05.14 수리 (Accepted) 7-8-2012-0015212-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계; (b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트를 포함하는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계; 및 (c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, (d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 투명 소스 전극과 투명 드레인 전극은 상기 투명 기판 또는 플렉서블 기판, 상기 투명 게이트 절연층 및 상기 투명 산화물 채널층 상에 계단형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 투명 소스 전극과 투명 드레인 전극은 상기 투명 게이트 전극과 직교하는 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 투명 부유 게이트를 형성하기 위한 투명나노입자는 1~20nm의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
6 6
(a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 게이트 전극용 제1 투명 전극층을 형성하는 단계; (b)상기 제1 투명 전극층 상에 제1 투명 절연층을 형성하는 단계; (c)상기 제1 투명 절연층 상에 전하를 저장하기 위한 투명 부유 게이트를 형성하는 단계; (d)상기 투명 부유 게이트 상에 제2 투명 절연층을 형성하는 단계; (e)상기 제2 투명 절연층 상에 투명 채널층을 형성하는 단계; 및 (f)상기 투명 채널층과 전기적으로 연결되도록 소스 전극 및 드레인 전극용 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 투명 기판 또는 플렉서블 기판은 유리 기판 또는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 (a)단계에서, 상기 제1 투명 전극층 형성 이전에 상기 투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 금속 박막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 투명 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide) 및 ZIO(Zinc Indium Oxide) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 제1 투명 절연층 및 상기 제2 투명 절연층은 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(Si3N4), Al2O3, parylene-x 또는 PVP(Polyvinyl pyrrolidone)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 투명 부유 게이트는 1~20nm의 사이즈를 갖는 투명 나노입자에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 투명 부유 게이트는 스핀 코팅(spin-coating) 또는 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 투명 나노입자는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), SnO2 , ZnO, Al, Pt, Au, Ti, W, Si 및 Ge 중에서 적어도 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
14 14
제6항에 있어서, 상기 투명 채널층은 ZnO, IZGO 및 IZO 중 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
15 15
제6항에 있어서, 상기 제2 투명 전극층은 ITO(Indium Tin Oxide), ATO(Antimon Tin Oxide) 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 제2 투명 전극층은 금속 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
17 17
제6항에 있어서, 상기 제2 투명 전극층은 상기 제1 투명 전극층과 직교하는 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 한국과학재단 한국과학재단 국가지정연구실사업 이종차원 하이브리드 나노재료를 이용한 메모리/광 나노소자 개발