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광 흡수에 의해 전기 전도도가 변화하는 나노파티클(nano-sized particle)이 상호 연계하는 넥킹(knecking)을 가지는 광 감응층(photo sensitive layer); 그리고
상기 광 감응층을 지지하는 기판;을 구비하는 포토 센서
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제 1 항에 있어서,
상기 광 감응층의 하부 양측에 상호 대향하는 두 개의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제 2 항에 있어서,
상기 전극은 Ti, Al, Ag, Au 및 Pt 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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4
제 1 항에 있어서,
상기 광 감응층의 상하에 전극이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제 4 항에 있어서,
상기 전극 중 광 감응층 하부의 전극은 Ti, Al, Ag, Au 및 Pt 중 적어도 어느 하나로 형성되며, 그 상부의 전극은 투명 도전물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 전극과 광 감응층은 오믹 콘택을 이루는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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7
제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 광 감응층을 지지하는 기판을 더 구비하며,
상기 기판은 그 표면에 절연막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 포토 센서
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8
제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 나노파티클은 Zn 산화물, Sn 산화물, Ti 산화물, W 산화물 및 In 산화물 중 적어도 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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제 8 항에 있어서,
상기 나노파티클는 1nm~400nm 범위 내의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 포토 센서
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11
나노파티클을 이용하는 포토센서를 제조하는 방법에서,
기판 위에 나노파티클을 도포하는 단계; 그리고
상기 나노파티클을 열처리하여 나노파티클을 상호 연결하는 네킹을 형성하는 단계;를 포함하는 포토 센서의 제조방법
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제 11 항에 있어서,
상기 기판 상에 전극을 형성한 후 상기 나노 파티클을 도포하는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 11 항에 있어서,
상기 나노파티클은 200 oC 이상의 온도에서 열처리하는 것을 특징으로하는 포토 센서의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 나노파티클은 Zn 산화물, Sn 산화물, Ti 산화물, W 산화물 및 In 산화물 중 적어도 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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15
제 14 항에 있어서,
상기 나노파티클은 1 ~ 400 nm 범위 내의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 15 항에 있어서,
상기 나노파티클은 20 ~ 150 nm 범위 내의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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17
제 16 항에 있어서,
상기 나노파티클을 용액에 분산시킨 상태에서 도포하는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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18
제 17 항에 있어서,
상기 나노파티클은 알콜에 분산되는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 17 항에 있어서,
상기 용액은 점성이 있는 폴리에틸렌옥사이드(PEO, polyethyleneoxide), 폴리비닐피롤리돈(PVP, polyvynil pyrrolidone), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethyl methacrylate) 중의 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 11 항 내지 제 17 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 기판은 그 표면에 절연막이 형성된 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 12 항에 있어서, 상기 전극은 Ti, Al, Ag, Au 및 Pt 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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제 11 항 내지 제 17 항의 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 상에 상호 대향하는 두 개의 전극을 형성한 후 두 개의 전극 사이에 상기 나노파티클을 도포하는 것을 특징으로 하는 포토 센서의 제조방법
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