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나노선­나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2014000655
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 나노선을 감싸도록 형성되는 터널링층 표면에 상기 나노선과 이종인 금속 나노입자를 형성하여 전하저장층을 구성함으로써, 전하 전송 능력이 뛰어난 나노선과 정보 저장 능력이 뛰어난 금속 나노입자의 상호보완 작용으로 저전압에서 동작할 수 있고 동작 속도를 증가시킬 수 있는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명인 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자를 이루는 구성수단은, 비휘발성 메모리 전자소자에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극과, 상기 소스 및 드레인 전극을 상기 실리콘 기판으로부터 부양된 상태로 연결하는 반도체 나노선과, 상기 반도체 나노선을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 터널링층과, 상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 터널링층 표면에 형성되는 금속 나노 필름에 대하여 열 증착시켜 얻어지는 금속 나노입자로 구성되는 전하저장층과, 상기 전하저장층을 감싸도록 형성되되, 원자층 증착법에 의해 형성되는 산화물층과, 상기 산화물층을 감싸도록 형성되되, 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 실리콘 기판 상부에 형성되는 게이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.비휘발성, 메모리, 이종결합
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020070018259 (2007.02.23)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0885193-0000 (2009.02.17)
공개번호/일자 10-2008-0078318 (2008.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20090224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상식 대한민국 서울 송파구
2 염동혁 대한민국 광주 광산구
3 정동영 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0159633-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0028845-23
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0204714-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0281843-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0281836-99
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0425330-89
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.10.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0703125-22
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0703127-13
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0064991-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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비휘발성 메모리 전자소자 제조방법에 있어서,반도체 기판의 상부에 HMDS(Hexamethyldisilazane)층을 도포하고 반도체 나노선을 상기 HMDS 상에 형성시키는 단계;상기 반도체 나노선이 형성된 HMDS층 상부에 제1 포토레지스트를 도포하고 포토 리소그래피법을 이용하여 복수개의 제1 공간부를 형성한 후, 상기 제1 공간부 및 제1 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고 상기 제1포토레지스트 및 상기 HMDS층을 제거하여 상기 반도체 나노선 양단에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체 나노선을 감싸도록 원자층 증착법으로 터널링층을 형성하는 단계;상기 터널링층을 감싸도록 형성되되, 상기 반도체 나노선과 이종인 금속 나노입자를 상기 터널링층 표면에 형성시켜 전하 저장층을 형성하는 단계;상기 전하저장층을 감싸도록 원자층 증착법으로 산화물층을 형성시키는 단계;상기 산화물층과 상기 소스 및 상기 드레인 전극이 형성되어 있는 기판상부에 제2 포토레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법을 이용하여 상기 소스 및 드레인 전극 사이에 제2 공간부를 형성한 후, 상기 제2 공간부 및 제2 포토레지스트 상에 금속층을 적층하고, 상기 제2 포토레지스트를 제거하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 반도체 나노선(nanowire) 대신에 탄소나노튜브(CNT) 또는 유기튜브를 상기 HMDS(Hexamethyldisilazane) 상에 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
8 8
청구항 6에 있어서, 상기 반도체 나노선은 Si, Ge, GaN, InP, GaAs, GaP, Si3N4, SiO2, SiC, ZnO 및 Ga2O3 중 어느 하나의 성분으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 반도체 나노선은 열 증발법에 의하여 기판 상에 성장시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 전하저장층을 형성하는 단계는,상기 터널링층 표면에 열 증착법을 이용하여 금속 나노필름을 코팅하는 과정, 급속열처리기(RTA)로 상기 금속 나노필름을 가열하여 금속 나노입자를 형성하는 과정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 금속 나노필름은 2㎚ ~ 10㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 금속 나노필름은 250℃ ~ 450℃ 사이의 온도에서 5초 ~ 30초 동안 가열되는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
13 13
청구항 6에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층은 Al2O3, HfO2 및 SiO2 물질 중 어느 하나를 원자층 증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 터널링층 및 산화물층을 Al2O3로 형성하는 경우, 전구체로는 TMA(Trimethylaluminum)와 H2O가 사용되는 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
15 15
청구항 13에 있어서,상기 터널링층은 5㎚ ~ 30㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
16 16
청구항 13에 있어서,상기 산화물층은 10㎚ ~ 60㎚ 사이의 두께인 것을 특징으로 하는 나노선-나노입자 이종결합의 비휘발성 메모리 전자소자 제조방법
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1 JP05553478 JP 일본 FAMILY
2 JP20211208 JP 일본 FAMILY
3 KR100850905 KR 대한민국 FAMILY
4 US08815683 US 미국 FAMILY
5 US20100276667 US 미국 FAMILY

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1 CN101252148 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101252148 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2008211208 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5553478 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2010276667 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US8815683 US 미국 DOCDBFAMILY
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