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마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018015938
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 실리콘 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계(S100), 제1 산화막을 마스크로 이용하여, 나노 칼럼 구조물과 마이크로 스케일 센서 구조물을 구분하는 함몰영역이 생성되도록 실리콘 기판을 식각하는 단계(S200), 실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 제2 산화막을 형성하는 단계(S300), 상기 함몰영역을 수직방향으로 소정 깊이 추가 식각하는 단계(S400), 실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 제3 산화막을 형성하는 단계(S500), 상기 나노 칼럼 구조물의 하단이 제거되면서 부유된 나노 와이어가 생성되도록, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계(S600)를 포함하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법에 관련된다.
Int. CL B81C 1/00 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01)
CPC B81C 1/00031(2013.01) B81C 1/00031(2013.01) B81C 1/00031(2013.01) B81C 1/00031(2013.01) B81C 1/00031(2013.01)
출원번호/일자 1020170068585 (2017.06.01)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0131891 (2018.12.11) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조동일 대한민국 서울특별시 강남구
2 장서형 대한민국 대구광역시 동구
3 신종윤 대한민국 서울특별시 관악구
4 유형정 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0526810-48
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0530908-63
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2018-0009920-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0509725-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0953428-48
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0953427-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0887529-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계(S100);제1 산화막을 마스크로 이용하여, 나노 칼럼 구조물과 마이크로 스케일 센서 구조물을 구분하는 함몰영역이 생성되도록 실리콘 기판을 식각하는 단계(S200), 여기서 상기 나노 칼럼 구조물은 제1 폭을 갖는 제1 칼럼 부분과 제1 폭 보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 칼럼 부분으로 구성되고, 상기 제1 칼럼 부분은 상기 제2 칼럼 부분 위에 위치함;실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 제2 산화막을 형성하는 단계(S300);상기 함몰영역을 수직방향으로 소정 깊이 추가 식각하는 단계(S400);실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 제3 산화막을 형성하는 단계(S500);상기 나노 칼럼 구조물의 하단이 제거되면서 부유된 나노 와이어가 생성되도록, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계(S600)를 포함하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2 칼럼 부분은 상기 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이의 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제2 칼럼 부분은 상기 마이크로 스케일 센서 구조물의 중앙부에 대응되는 높이에 위치하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 산화막을 형성하는 단계(S300)는,제1 칼럼 부분 전체가 제2 산화막으로 변할 때까지 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2 산화막을 형성하는 단계(S300)는,상기 열산화 공정의 시간을 조절하여 목적하는 나노 와이어의 폭을 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 단계(S300)과 단계(S400) 사이에,상기 실리콘 기판 전면에 질화막을 형성하는 단계(S410); 및상기 실리콘 기판의 상면부에 존재하는 질화막과 함몰영역의 바닥면에 위치하는 제2 산화막을 선택적으로 제거하는 단계(S420)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판을 식각하는 단계(S600)의 시간을 조절함으로써 목적하는 나노 와이어의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 함몰영역이 생성되도록 실리콘 기판을 식각하는 단계(S200)는,상기 제1 산화막을 소정의 패턴으로 식각하는 단계(S210);상기 소정의 패턴에 대응되도록 감광제를 패터닝하는 단계(S220), 여기서 상기 제1 산화막 중 상기 나노 칼럼 구조물에 대응되는 부분은 상기 감광제에 의해 덮여짐; 및상기 감광제를 식각 마스크로 하여 상기 실리콘 기판을 소정 깊이 식각하는 단계(S230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스케일 센서 구조물의 상단과 하단 사이에 위치하는 나노 와이어 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 원천기술개발사업 스마트센서를 위한 벌크 실리콘 SOLID NEMS 공정 플랫폼 개발