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무전해 금도금 방법 및 이에 의해 제조된 센서

  • 기술번호 : KST2015135263
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 알루미늄 패턴이 형성된 기판을 제공하는 단계, 상기 알루미늄 패턴의 표면을 팔라듐 활성화 용액으로 처리하여 활성화하는 단계, 상기 팔라듐 활성화 이후 상기 기판을 세정하여 상기 알루미늄 패턴 이외 부분에 흡착된 팔라듐을 제거하는 단계, 및 상기 세정 이후 상기 기판을 금도금 용액에 침지하고, 상기 금도금 용액을 가열하여 상기 알루미늄 패턴의 표면을 무전해 금도금하는 단계를 포함하는 무전해 금도금 방법이 제공된다.
Int. CL C23C 18/42 (2006.01.01) C23C 18/30 (2006.01.01) C23C 18/16 (2006.01.01) G01N 27/30 (2006.01.01) H05K 3/18 (2006.01.01)
CPC C23C 18/42(2013.01) C23C 18/42(2013.01) C23C 18/42(2013.01) C23C 18/42(2013.01) C23C 18/42(2013.01)
출원번호/일자 1020090098216 (2009.10.15)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1189631-0000 (2012.10.04)
공개번호/일자 10-2011-0041165 (2011.04.21) 문서열기
공고번호/일자 (20121010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영준 대한민국 서울특별시 관악구
2 고정우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0632149-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2009.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0080265-42
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0732253-72
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0804700-02
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0056622-62
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0056668-51
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0009511-00
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0387586-61
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0703030-87
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0703031-22
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0001683-85
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0163062-50
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0196966-71
16 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0381471-14
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
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3 3
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4 4
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7 7
기판 위에 이격되어 형성된 제1 알루미늄 전극 및 제2 알루미늄 전극;상기 제1 알루미늄 전극 및 상기 제2 알루미늄 전극 위에 팔라듐 촉매를 도입하고 무전해 금도금하여 형성한 제1 금도금 층 및 제2 금도금 층;상기 제1 금도금 층으로 덮인 상기 제1 알루미늄 전극과 상기 제2 금도금 층으로 덮인 상기 제2 알루미늄 전극을 전기적으로 연결하면서 상기 기판 위에 배치되는 선형 나노구조물들의 네트워크; 및상기 선형 나노구조물들의 네트워크 상에 형성된 금 입자 층을 포함하는 선형 나노구조물 기반 센서
8 8
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9 9
제 7 항에 있어서,상기 금 입자 층은 상기 선형 나노구조물들의 네트워크가 형성된 상기 기판을 금도금 용액에 침지하는 무전해 금도금 방법에 의해 형성되는 선형 나노구조물 기반 센서
10 10
제7 항에 있어서,상기 제1 금도금 층으로 덮인 상기 제1 알루미늄 전극과 상기 제2 금도금 층으로 덮인 상기 제2 알루미늄 전극 사이의 간격이 2 내지 40 ㎛의 범위에서 측정된 양 전극 사이의 저항 값이 0
11 11
제7 항, 제9항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 상부에 절연층을 포함하거나 자체가 비전도성인 선형 나노구조물 기반 센서
12 12
제11 항에 있어서,상기 기판은 CMOS 기반 칩인 선형 나노구조물 기반 센서
13 13
제7 항, 제9항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 선형 나노구조물은 나노와이어 또는 탄소나노튜브인 선형 나노구조물 기반 센서
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패밀리정보가 없습니다
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1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 국가핵심연구센터 나노응용시스템연구센터