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메모리 저장 장치, 데이터베이스를 위한 트랜잭션 기능을 지원하는 방법 및 메모리 시스템

  • 기술번호 : KST2015136746
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 데이터베이스 관리 시스템과 파일 시스템과 연동하는 메모리 저장 장치는 CoW(Copy-On-Write) 매커니즘을 활용하여 상기 데이터베이스 관리 시스템을 위한 트랜잭션(transaction)의 원자성을 보장하는 플래시 변환 계층(FTL:Flash Traslation Layer)을 포함한다.
Int. CL G06F 13/16 (2006.01.01) G06F 12/00 (2016.01.01) G06F 9/06 (2018.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130076665 (2013.07.01)
출원인 성균관대학교산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1491626-0000 (2015.02.03)
공개번호/일자 10-2015-0003598 (2015.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20150305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140113390;
심사청구여부/일자 Y (2013.07.01)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상원 대한민국 경기도 군포시 오금로 ,
2 강운학 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 오기환 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 문봉기 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0591141-76
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0642143-42
3 선행기술조사의뢰 취소
Revocation of Request for Prior Art Search		 2014.03.05 수리 (Accepted) 9-1-0000-0000000-00
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0325547-16
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2014.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0325231-05
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028244-18
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0431294-79
8 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2014.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2014.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2014-0042327-27
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0372853-10
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710435-32
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0823791-98
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0823795-70
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0823794-24
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0689473-19
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1179926-15
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-1179923-78
18 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0896653-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
데이터베이스 관리 시스템과 파일 시스템과 연동하는 메모리 저장 장치에 있어서,CoW(Copy-On-Write) 매커니즘을 활용하여 상기 데이터베이스 관리 시스템을 위한 트랜잭션(transaction)의 원자성을 보장하는 플래시 변환 계층(FTL:Flash Traslation Layer)을 포함하되,상기 메모리 저장 장치는 eMMC(embedded Multi Media Card) 또는 플래시 메모리 기반 저장 장치인 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은트랜잭션을 관리하는 트랜잭션 테이블을 생성하는 트랜잭션 테이블 생성부를 포함하되,상기 트랜잭션 테이블은 각각의 페이지에 대해, 트랜잭션을 식별하는 트랜잭션 아이디(ID), 논리적 페이지 위치, 물리적 페이지 위치 및 트랜잭션의 현재 상태 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은논리적 페이지 위치 및 물리적 페이지 위치의 매핑 관계를 나타내는 페이지 매핑 테이블과 상기 트랜잭션 테이블을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 트랜잭션의 현재 상태 정보는 해당 트랜잭션이 진행 중인 트랜잭션인지, 종료된 트랜잭션인지, 취소된 트랜잭션인지에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은상기 트랜잭션 테이블에서 업데이트된 페이지들의 이전 위치에 쓰인 페이지들은 트랜잭션이 종료되기 전까지 희생 페이지로 선택하지 않고, 트랜잭션이 취소되는 경우 롤백(rollback) 작업을 위해 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은활성화중인 트랜잭션이 성공적으로 종료되었을 경우, 상기 트랜잭션 테이블에서 유지되던 이전 위치의 페이지들을 관리 대상에서 제외하여 희생 페이지로 선택할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은쓰기 요청을 수행하는 명령어, 읽기 요청을 수행하는 명령어, 트랜잭션의 상태를 완료(commit)로 변경하는 명령어 및 트랜잭션의 상태를 취소(abort)로 변경하는 명령어를 사용하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
8 8
제 2 항에 있어서,상기 트랜잭션 테이블에는 특정 페이지가 변경되어 쓰기 요청이 수신된 시점에만 트랜잭션 정보가 추가되는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
9 9
제 2 항에 있어서, 상기 트랜잭션 테이블의 각각의 엔트리는 가장 최신 페이지 번호와 가장 최근 종료되어 기록된 이전 버전의 페이지 번호를 유지하면서 각 트랜잭션 요청에 대응하는 페이지를 제공하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은읽기 요청 명령어가 들어오는 경우, 상기 트랜잭션 아이디와 상기 논리적 페이지 번호가 모두 일치하는 엔트리가 상기 트랜잭션 테이블에 존재하는 경우에만 상기 최신 페이지를 전달하고, 그렇지 않은 경우, 상기 이전 버전의 페이지를 전달하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은트랜잭션을 종료하라는 종료(commit) 명령어가 들어오는 경우, 종료 요청 관련 트랙잭션에 의해 업데이트된 모든 페이지가 물리적 낸드(nand) 페이지로 온전히 쓰여지길 기다리고, 이후 상기 트랜잭션 테이블 내의 상기 종료 요청 관련 트랜잭션에 대한 현재 상태 정보를 모두 종료(commit)로 변경하고, 해당 트랜잭션 테이블 정보를 상기 저장 장치에 영구적으로 기록한 뒤, 상기 트랜잭션 테이블에 변경된 매핑 정보를 반영하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치
12 12
삭제
13 13
데이터베이스 관리 시스템과 파일 시스템과 연동하는 메모리 저장 장치에서 트랜잭션을 지원하는 방법에 있어서,상기 메모리 저장 장치의 플래시 변환 계층이 CoW(Copy-On-Write) 매커니즘을 활용하여 상기 데이터베이스 관리 시스템을 위한 트랜잭션(transaction)의 원자성을 보장하는 단계를 포함하되,상기 메모리 저장 장치는 eMMC(embedded Multi Media Card) 또는 플래시 메모리 기반 저장 장치인 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치에서 트랜잭션을 지원하는 방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 트랜잭션의 원자성 보장 단계는트랜잭션을 관리하는 트랜잭션 테이블을 생성하는 단계를 포함하되,상기 트랜잭션 테이블은 각각의 페이지에 대해, 트랜잭션 아이디(ID), 논리적 페이지 위치, 물리적 페이지 위치 및 트랜잭션의 현재 상태 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 저장 장치에서 트랜잭션을 지원하는 방법
15 15
디바이스의 데이터 관리를 수행하는 데이터베이스 시스템;상기 데이터베이스 관리 시스템과 메모리 저장 장치의 중간에서 트랜잭션 기능을 이용할 수 있도록 메신저 역할을 수행하는 파일 시스템; 및상기 데이터베이스 관리 시스템과 상기 파일 시스템과 연동하는 메모리 저장 장치를 포함하되, 상기 메모리 저장 장치는CoW(Copy-On-Write) 매커니즘을 활용하여 상기 데이터베이스 관리 시스템을 위한 트랜잭션(transaction)의 원자성을 보장하는 플래시 변환 계층(FTL:Flash Traslation Layer)을 포함하고,상기 메모리 저장 장치는 eMMC(embedded Multi Media Card) 또는 플래시 메모리 기반 저장 장치인 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 플래시 변환 계층은트랜잭션을 관리하는 트랜잭션 테이블을 생성하는 트랜잭션 테이블 생성부를 포함하되,상기 트랜잭션 테이블은 각각의 페이지에 대해, 트랜잭션 아이디(ID), 논리적 페이지 위치, 물리적 페이지 위치 및 트랜잭션의 현재 상태 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
17 17
제 16 항에 있어서, 상기 데이터베이스 관리 시스템은변경된 페이지를 다른 저널 파일이 아닌 데이터베이스 파일에 곧바로 적용하기 위해 저널 모드를 오프(off)시키는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
18 18
제 16 항에 있어서, 상기 데이터베이스 관리 시스템은 상기 메모리 자장 장치에 트랜잭션의 취소(abort)와 관련된 작업을 수행하도록 지시하기 위해, 디바이스 제어 함수(ioctl)를 통해 취소(abort) 명령을 전달하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
19 19
제 16 항에 있어서, 상기 파일 시스템은 트랜잭션에 의해 특정 페이지가 수정되었을 경우, 상기 메모리 저장 장치로 트랜잭션 아이디를 함께 전달하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
20 20
제 16 항에 있어서, 상기 파일 시스템은읽기 또는 쓰기 요청이 들어올 경우, 트랜잭션 아이디 및 읽기 또는 쓰기 요청을 할 놀리 페이지 번호를 포함하는 형태의 명령어로 변환하여 상기 메모리 저장 장치로 전달하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
21 21
제 16 항에 있어서, 상기 파일 시스템은트랜잭션의 종료 또는 취소 작업과 관련된 기능이 호출되는 경우, 이를 트랜잭션 아이디 및 트랜잭션의 현재 상태를 포함하는 형태의 명령어로 변환하여 상기 메모리 저장 장치로 전송하되, 트랜잭션의 취소 후에도 상기 파일 시스템 상의 버퍼에 남아 있을 수 있는 페이지는 삭제하는 것을 특징으로 하는 메모리 시스템
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1 교육과학기술부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 일반연구자지원 eMMC 카드향 안드로이드 플랫폼 (스마트 디바이스)에서 SQLite 최적화