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기질 상에 철 산화물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 화학 증착 반응기에 기질을 도입하는 단계; 및철(Fe) 원으로서 유기 철 화합물 및 산소(O) 원을 동시에 공급하는 금속 유기물 화학적 증착법(MOCVD), 또는 철(Fe) 원으로서 유기 철 화합물 및 산소 원을 교대로 공급하는 원자층 증착법(ALD)을 사용하여 철 산화물(FexOy) 박막을 제조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 상기 철 원으로 Fe(CO)5(CO = 카르보닐), Fe(acac)3(acac = 아세틸아세토네이토), Fe(thd)3(thd = 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이토) 및 [Fe(OtBu)3]2(OtBu = t-부톡사이드) 중에서 하나 이상의 화합물을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 상기 철 원으로 하기 화학식 1의 철 아미노알콕사이드 중에서 하나 이상의 화합물을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 4 항에서, 상기 화학식 1에서 m은 1 또는 2이고, R 및 R'는 독립적으로 CH3, CF3, C2H5, CH(CH3)2 및 C(CH3)3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 산소 원으로 물, 산소, 오존, 또는 산소 플라스마를 사용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 1 항에서, 상기 기질은 실리콘(Si) 웨이퍼, 게르마늄(Ge) 웨이퍼, 탄화규소(SiC) 웨이퍼, 산화규소(SiO2) 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 7 항에서, 상기 기질은 상부에 백금(Pt), 이리듐(Ir), 금(Au), 루테늄(Ru), 인듐틴산화물(ITO) 또는 이산화루테늄(RuO2)에서 선택되는 박막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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제 7 항에서, 기질의 온도를 100 내지 400 ℃ 범위에서 유지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자용 철 산화물 박막의 제조 방법
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전극-철 산화물-전극의 구조를 포함하는 ReRAM 소자의 제조 방법에서, 제 1 항, 제 3 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 철 산화물 박막을 제조하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자의 제조 방법
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제 10 항에서, 전극을 백금(Pt), 이리듐(Ir), 금(Au), 루테늄(Ru), 인듐 틴 산화물(indium tin oxide) 또는 이산화루테늄(RuO2) 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 ReRAM 소자의 제조 방법
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