맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금 나노 선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144355
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금 나노 선 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘(Si) 칩 상에 디엔에이(DNA)를 형판(template)으로 사용하여 금 나노 선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판위의 용액 고착을 촉진 시키는 부착층(adhesion layer)을 형성하는 단계, 환원제와 금 나노 입자를 합성하여 제1 합성 용액을 만드는 제1 합성단계 및 상기 금 나노 입자와 환원제의 제1 합성 용액에 다시 디엔에이(DNA)를 합성하여 제2 합성 용액을 만든 후, 이 제2 합성 용액을 상기 기판위에 도포하는 제2 합성/도포 단계를 포함하는 제조방법을 제공함으로써, 나노 선 형성 방법이 간단하고, 직경 제어를 통해 나노 선의 선폭을 정확하게 조절이 가능한 효과가 있다.또한, 금 나노 입자뿐만 아니라 다른 금속 나노 입자를 사용하여 다양한 금속 나노 선 제작이 가능하고, 나노 선을 선형으로 정렬이 가능하기 때문에 반도체 소자의 소형화 및 집적화를 더욱 효율적으로 하도록 하는 효과가 있다. 금 나노 선, DNA
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020070019062 (2007.02.26)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0813113-0000 (2008.03.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.26)
심사청구항수 24

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기 화성시
2 김형진 대한민국 경기 수원시 장안구
3 노용한 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0165290-37
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0088514-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금 나노 선 제조방법에 있어서, 디엔에이(DNA) 용액을 기판위에 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 DNA 용액 도포 후, 금 나노 입자와 환원제를 합성하고, 이 합성 용액을 상기 기판위에 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 금 나노 선 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 환원제는 4-아미노티오페놀(aminothiophanol, ATP), 2-아미노에탄티올(aminoethanthiol, AET), 아닐린(aniline) 중 선택된 1종임을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 DNA 용액 도포 이전에 액상 코팅방법 또는 진공 증착법을 이용하여 기판위에 DNA 용액의 고착을 촉진 시키는 부착층(adhesion layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 액상 코팅방법 이용 시 3-aminopropyltriethoxysilane(APS)를 용매를 이용하여 녹인 용액 속에 기판을 담가 기판위에 자기 조립 단분자막(SAM)을 형성하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 진공 증착법 이용 시 기판을 진공 챔버에 넣고 N2 플라즈마 처리를 통해 기판 표면에 아민 그룹으로 이루어진 자기 조립 단분자막(SAM)을 형성되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 합성 용액 도포 시 기판위에 고착되어진 DNA를 따라 선형 및 격자 모양으로 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 DNA를 따라 합성 용액이 선형 정렬 시 분자 빗살 정렬방법과 기울임 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 기울임 방법 이용 시 상기 합성 용액이 도포되어 있는 기판을 90°의 각도로 기울여 합성 용액이 흘러내리는 힘에 의해 정렬하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 분자 빗살 정렬방법 이용 시 기판을 금 나노 입자와 환원제의 합성 용액 속에 수직으로 담가둔 후, 다시 기판을 수직 방향으로 빼내어 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 DNA 격자 정렬 시 기판을 금 나노 입자와 환원제의 합성 용액 속에 수직으로 담가둔 후, 수직 방향으로 빼낸 다음 다시 기판을 90° 돌려서 수직으로 담가둔 후, 수직 방향으로 빼내어 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
12 12
금 나노 선 제조방법에 있어서, 기판위의 용액 고착을 촉진 시키는 부착층(adhesion layer)을 형성하는 단계, 환원제와 금 나노 입자를 합성하여 제1 합성 용액을 만드는 제1 합성단계 및 상기 금 나노 입자와 환원제의 제1 합성 용액에 다시 디엔에이(DNA)를 합성하여 제2 합성 용액을 만든 후, 이 제2 합성 용액을 상기 기판위에 도포하는 제2 합성/도포 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 환원제는 4-아미노티오페놀(aminothiophanol, ATP), 2-아미노에탄티올(aminoethanthiol, AET), 아닐린(aniline) 중 선택된 1종임을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 제2 합성/도포 단계는 금 나노 입자의 농도, 처리시간 및 직경을 제어하여 금 나노 입자들 사이의 간격을 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 금 나노 입자의 직경은 1 ~ 100 ㎚의 범위에서 선택하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
16 16
제12항에 있어서, 상기 부착층은 액상 코팅방법 및 진공 증착법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 액상 코팅방법 이용 시 3-aminopropyltriethoxysilane(APS)를 용매를 이용하여 녹인 용액 속에 기판을 담가 기판위에 자기 조립 단분자막(SAM)을 형성하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
18 18
제16항에 있어서, 진공 증착법 이용 시 기판을 진공 챔버에 넣고 N2 플라즈마 처리를 통해 기판 표면에 아민 그룹으로 이루어진 자기 조립 단분자막(SAM)을 형성되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
19 19
제12항에 있어서, 상기 제2 합성/도포 단계는 제2 합성 용액을 기판위에 길이 16 ㎛, 폭 2㎚로 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
20 20
제12항에 있어서, 상기 제2 합성/도포 단계는 기판위에 제2 합성 용액내의 DNA를 선형 및 격자 모양으로 정렬시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
21 21
제20항에 있어서, 상기 제2 합성 용액내의 DNA를 선형 정렬 시 분자 빗살 정렬방법과 기울임 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 기울임 방법 이용 시 제2 합성 용액이 도포되어 있는 기판을 90°의 각도로 기울여 제2 합성 용액이 흘러내리는 힘에 의해 정렬하도록 하는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
23 23
제21항에 있어서, 상기 분자 빗살 정렬방법 이용 시 기판을 제2 합성 용액 속에 수직으로 담가둔 후, 다시 기판을 수직 방향으로 빼내어 정렬시키는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
24 24
제20항에 있어서, 상기 DNA 격자 정렬 시 기판을 제2 합성 용액 속에 수직으로 담가둔 후, 수직 방향으로 빼낸 다음 다시 기판을 90° 돌려서 수직으로 담가둔 후, 수직 방향으로 빼내어 정렬시키는 것을 특징으로 하는 금 나노 선 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.