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유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142850
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판, 상기 기판 상부에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상부에 배치된 절연층, 상기 절연층 상부에 배치된 수소화된 비정질 탄소 박막, 상기 수소화된 탄소 박막 상부에 배치된 활성층 및 상기 활성층 상부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 기판은 폴리이미드(Polyimide) 또는 폴리에테르설폰(PES) 기판인 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공함으로써, 수소화된 비정질 탄소 박막을 이용하여 절연층에 생기는 핀홀 등의 생성을 방지하고, 높은 표면에너지를 감소시켜 활성층 증착 시 밀집도를 높이며, 수소화된 비정질 탄소 박막의 절연특성을 부가하여 유기 절연층의 절연특성을 향상시키는 효과가 있다. 유기 박막 트랜지스터, 수소화된 비정질 탄소 박막, 비대칭 마그네트론 스퍼터링법
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01)
출원번호/일자 1020070021044 (2007.03.02)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0850495-0000 (2008.07.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080805) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.02)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병유 대한민국 경기 화성시
2 정일섭 대한민국 서울 서초구
3 박용섭 대한민국 경기 수원시 장안구
4 서광유 대한민국 경기 수원시 장안구
5 이철우 대한민국 경기 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0178343-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0026592-20
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0191751-73
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0191760-84
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0395082-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 기판 상에 증착되는 게이트 절연층과 유기 활성층 사이에 수소화된 비정질 탄소 박막이 형성되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판 상부와 게이트 절연층 하부 사이에 게이트 전극으로 금(Au)박막이 형성되도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 폴리에테르설폰(Polyethersulfone) 또는 폴리이미드(Polyimide) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 절연층은 폴리비닐카본네이트(Polyvinylcabonate) 또는 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 절연층 상부에 수소화된 비정질 탄소 박막 형성 시 9 mTorr의 증착압력으로 30~ 50 nm 이하의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 비대칭 마그네트론 스퍼터링(CFUBM sputtering)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 스퍼터링 시 스퍼터 가스와 반응가스인 아르곤 가스(Ar)와 아세틸렌 가스(C2H2)를 50 : 50 sccm으로 혼합하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 절연특성이 1× 106 Ωcm 이상의 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 표면 거칠기가 0
10 10
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상부에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층 상부에 수소화된 비정질 탄소 박막을 형성하는 단계, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막 상부에 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상부에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 기판은 폴리이미드(Polyimide) 또는 폴리에테르설폰(PES) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금(Au) 박막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 절연층은 폴리비닐카본네이트(Polyvinylcabonate) 또는 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 절연층 상부에 수소화된 비정질 탄소 박막 형성 시 9 mTorr의 증착압력으로 30~ 50 nm 이하의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 비대칭 마그네트론 스퍼터링(CFUBM sputtering)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 스퍼터링 시 스퍼터 가스와 반응가스인 아르곤 가스(Ar)와 아세틸렌 가스(C2H2)를 50 : 50 sccm으로 혼합하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
16 16
제10항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 절연특성이 1× 106 Ωcm 이상의 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 표면 거칠기가 0
18 18
기판, 상기 기판 상부에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상부에 배치된 절연층, 상기 절연층 상부에 배치된 수소화된 비정질 탄소 박막, 상기 수소화된 탄소 박막 상부에 배치된 활성층 및 상기 활성층 상부에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 기판은 폴리이미드(Polyimide) 또는 폴리에테르설폰(PES) 기판인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
19 19
제18항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금(Au) 박막인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
20 20
제18항에 있어서, 상기 절연층은 폴리비닐카본네이트(Polyvinylcabonate) 또는 폴리비닐페놀(Polyvinylphenol)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
21 21
제18항에 있어서, 상기 수소화된 비정질 탄소 박막은 비대칭 마그네트론 스퍼터링(CFUBM sputtering)법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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패밀리정보가 없습니다
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