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카르벤 유도체를 이용한 나노입자 제조방법
- 기술번호 : KST2015142997
- 담당센터 :
- 전화번호 :
| 요약 | 본 발명은 카르벤 유도체를 이용한 나노입자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 용매에 하나 이상의 전구체 물질을 가하여 결정을 성장시켜 나노입자를 합성함에 있어서, 전구체 물질로 특정 카르벤(carbene) 유도체를 사용하는 나노입자의 제조방법에 관한 것이다.나노입자, 카르벤 유도체, 퀀텀 닷 |
|---|---|
| Int. CL | C07D 471/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080046735 (2008.05.20) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1462653-0000 (2014.11.11) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0120769 (2009.11.25) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141117) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.05.20) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장은주 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 손성욱 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 팬코리아특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자 주식회사 | 경기도 수원시 영통구 | |
| 2 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0357252-40 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.12.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0871271-20 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0576071-36 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.05.20 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2013-0442244-19 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.05.20 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2013-0442235-19 |
| 10 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0442163-19 |
| 11 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2013.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0062514-22 |
| 12 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2013.06.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0065696-37 |
| 13 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2013.06.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0067652-86 |
| 14 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2013.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0083311-08 |
| 15 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 16 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0029903-66 |
| 17 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0279847-31 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0585737-15 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.06.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0585738-61 |
| 20 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0578584-19 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 유기 용매에 하나 이상의 전구체 물질 및 금속 전구체를 가하여 결정을 성장시켜 나노입자를 합성함에 있어서, 전구체 물질로 카르벤(carbene) 유도체를 사용하되, 상기 카르벤 유도체는 하기 화학식 3 내지 26 중 어느 하나로 표시되는 나노입자의 제조 방법:[화학식 3][화학식 4][화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8][화학식 9][화학식 10][화학식 11][화학식 12][화학식 13][화학식 14][화학식 15][화학식 16][화학식 17][화학식 18][화학식 19][화학식 20][화학식 21][화학식 22][화학식 23][화학식 24][화학식 25][화학식 26] |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 나노입자의 제조방법이i) 금속전구체, 상기 카르벤 유도체 및 유기 용매를 혼합하여 제 1 반응 혼합물을 제조하는 단계; 및ii) 상기 제 1 반응 혼합물을 가열하는 단계를 포함하는 나노입자의 제조방법 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 ii) 단계의 가열온도는 250℃ 내지 300℃인 나노입자의 제조방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 나노입자의 제조방법이i) 상기 카르벤 유도체 및 유기 용매를 혼합하여 제 1 반응 혼합물을 제조하고 가열하는 단계; 및ii) 상기 가열된 제 1 반응 혼합물에 금속전구체를 혼합하는 단계를 포함하는 나노입자의 제조방법 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서, 상기 i) 단계의 가열온도는 250℃ 내지 300℃인 나노입자의 제조방법 |
| 7 |
7 제 5항에 있어서, 상기 ii) 단계에서 상기 금속전구체는 상기 제 1 반응 혼합물의 가열온도에서 투입되며, 투입된 후 반응 혼합물의 온도를 250℃ 내지 300℃로 유지하는 나노입자의 제조방법 |
| 8 |
8 제 5항에 있어서, 상기 ii) 단계는 5분 내지 72시간 동안 수행되는 나노입자의 제조방법 |
| 9 |
9 제 3항 또는 제 5항에 있어서, 상기 반응 혼합물이 도펀트를 추가로 포함하여 도핑된 나노입자를 합성하는 나노입자의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 도펀트는 전이금속인 스칸듐, 타이타늄, 바나듐, 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈, 구리, 아연; 귀금속인 금, 은, 백금, 이리듐; 알칼리 금속인 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 프란슘; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것인 나노입자의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서, 상기 금속전구체가 디메틸아연(dimethyl zinc), 디에틸아연(diethyl zinc), 아연아세테이트(zinc acetate), 아연아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 아연아이오다이드(zinc iodide), 아연브로마이드(zinc bromide), 아연클로라이드(zinc chloride), 아연플루오라이드(zinc fluoride), 아연카보네이트(zinc carbonate), 아연시아나이드(zinc cyanide), 아연나이트레이트(zinc nitrate), 아연옥사이드(zinc oxide), 아연퍼옥사이드(zinc peroxide), 아연퍼클로레이트(zinc perchlorate), 아연설페이트(zinc sulfate), 디메틸카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴아세테이트(cadmium acetate), 카드뮴아세틸아세토네이트(cadmium acetylacetonate), 카드뮴아이오다이드(cadmium iodide), 카드뮴브로마이드(cadmium bromide), 카드뮴클로라이드(cadmium chloride), 카드뮴플루오라이드(cadmium fluoride), 카드뮴카보네이트(cadmium carbonate), 카드뮴나이트레이트(cadmium nitrate), 카드뮴옥사이드(cadmium oxide), 카드뮴퍼클로레이트(cadmium perchlorate), 카드뮴포스파이드(cadmium phosphide), 카드뮴설페이트(cadmium sulfate), 수은아세테이트(mercury acetate), 수은아이오다이드(mercury iodide), 수은브로마이드(mercury bromide), 수은클로라이드(mercury chloride), 수은플루오라이드(mercury fluoride), 수은시아나이드(mercury cyanide), 수은나이트레이트(mercury nitrate), 수은옥사이드(mercury oxide), 수은퍼클로레이트(mercury perchlorate), 수은설페이트(mercury sulfate), 납아세테이트(lead acetate), 납브로마이드(Lead bromide), 납클로라이드(Lead chloride), 납플루오라이드(Lead fluoride), 납옥사이드 (Lead oxide), 납퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납나이트레이트(Lead nitrate), 납설페이트(Lead sulfate), 납카보네이트(Lead carbonate), 주석아세테이트(Tin acetate), 주석비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석브로마이드 (Tin bromide), 주석클로라이드(Tin chloride), 주석플루오라이드(Tin fluoride), 주석옥사이드(Tin oxide), 주석설페이트(Tin sulfate), 게르마늄테트라클로라이드 (Germanium tetrachloride), 게르마늄옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄에톡사이드(Germanium ethoxide), 갈륨아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨클로라이드(Gallium chloride), 갈륨플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨옥사이드(Gallium oxide), 갈륨나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨설페이트(Gallium sulfate), 인듐클로라이드(Indium chloride), 인듐옥사이드 (Indium oxide), 인듐아세테이트(Indium acetate), 인듐나이트레이트(Indium nitrate) 및 인듐설페이트(Indium sulfate)로 이루어진 군에서 선택되는 나노입자의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1항에 있어서, 상기 유기 용매가 탄소수 6 내지 24의 일차 알킬 아민, 이차 알킬 아민 및 삼차 알킬 아민; 탄소수 6 내지 24의 일차 알코올, 이차 알코올 및 삼차 알코올; 탄소수 6 내지 24의 케톤 및 에스테르; 탄소수 6 내지 24의 질소 또는 황을 포함한 헤테로 고리 화합물(heterocyclic compound); 탄소수 6 내지 24의 알칸, 알켄, 알킨; 및 트리부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀 옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 나노입자의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1항에 있어서, 상기 나노입자의 제조방법은 올레인 산 (oleic acid), 스테아르산 (stearic acid), 팔미트산 (palmitic acid), 헥실 포스포늄산 (hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산 (n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산 (tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산 (octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민 (n-octyl amine) 및 헥사데실아민 (hexadecyl amine)으로 이루어진 군에서 선택되는 분산제를 추가로 포함하여 수행되는 나노입자의 제조방법 |
| 14 |
14 제 1항에 있어서, 상기 나노입자는 두 층 이상의 다층 구조를 가지며, 상기 나노입자의 제조방법이 하나 이상의 층의 형성에 사용되는 나노입자의 제조방법 |
| 15 |
15 제 1항, 및 제3항 내지 제 8항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 합성된 나노입자 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 나노입자는 12족-16족, 13족-16족, 14족-16족 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것임을 특징으로 하는 나노입자 |
| 17 |
17 제 16항에 있어서, 상기 나노입자는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlS, AlSe, AlTe, GaS, GaSe, GaTe, InS, InSe, InTe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 나노입자 |
| 18 |
18 제 15항에 있어서, 상기 나노입자는 3 내지 50nm의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 나노입자 |
| 19 |
19 제 15항에 있어서, 상기 나노입자는 이종 금속 원소로 도핑된 것을 특징으로 하는 나노입자 |
| 20 |
20 제 15항에 있어서, 상기 나노입자는 코어/쉘 형태이거나 다층 구조인 것을 특징으로 하는 나노입자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP05416418 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP21279747 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | US08057780 | US | 미국 | FAMILY |
| 4 | US20090289233 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2009279747 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
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| 3 | US2009289233 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US8057780 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1462653-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080520 출원 번호 : 1020080046735 공고 연월일 : 20141117 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140825 청구범위의 항수 : 19 유별 : C07D 471/00 발명의 명칭 : 카르벤 유도체를 이용한 나노입자 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 786,000 원 | 2014년 11월 11일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2017년 10월 18일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2018년 10월 19일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2019년 10월 17일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 822,000 원 | 2020년 10월 20일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0357252-40 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.12.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0871271-20 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 7 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.07.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0576071-36 |
| 8 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.05.20 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2013-0442244-19 |
| 9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.05.20 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2013-0442235-19 |
| 10 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.05.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0442163-19 |
| 11 | 서류반려이유통지서 | 2013.06.05 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0062514-22 |
| 12 | 서류반려통지서 | 2013.06.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0065696-37 |
| 13 | 서류반려이유통지서 | 2013.06.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0067652-86 |
| 14 | 서류반려통지서 | 2013.07.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0083311-08 |
| 15 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.03.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 16 | 선행기술조사보고서 | 2014.04.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0029903-66 |
| 17 | 의견제출통지서 | 2014.04.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0279847-31 |
| 18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0585737-15 |
| 19 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.06.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0585738-61 |
| 20 | 등록결정서 | 2014.08.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0578584-19 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1340016513 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-005-J11901 |
| 연구과제명 | 나노유-무기복합체연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2005 |
| 연구기간 | 200409~200606 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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| [KST2015014905][서울대학교] | 긴 소수성 사슬이 도입된 리간드로 코팅된 나노입자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016009049][한국과학기술원] | 입자의 나노수준 단위 접착방법(Method of Adhering Particles in Nano Scale) | 새창보기 |
| [KST2014053058][서울대학교] | 산화 티타늄 나노 튜브 재료 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014000720][고려대학교] | 티타니아 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조된티타니아 나노와이어 | 새창보기 |
| [KST2016005599][경희대학교 국제캠퍼스] | 3차원 플라즈모닉 나노 구조체 및 그 제조방법(3 DIMENSIONAL PLASMONIC NANO STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME) | 새창보기 |
| [KST2016006385][전북대학교] | 잘 정렬된 이산화 티타늄 나노튜브 전극기반의 페닐 히드라진 고감도 센서(Synthesis of Highly Aligned TiO2 Nanotube via Electrochemical Anodic Oxidation for Prospective Phenyl Hydrazine Sensor) | 새창보기 |
| [KST2016010002][한국과학기술연구원] | 화학적 기상증착법에 의한 3차원 나노구조체의 제조방법(Method for manufacturing three-dimensional nanostructure by using CVD) | 새창보기 |
| [KST2016009050][광주과학기술원] | 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법(METHOD OF FABRICATING ZINC OXIDE NANOSTRUCTURES USING LIQUID MASKING LAYER) | 새창보기 |
| [KST2016006386][전북대학교] | 반도체 가스센서용 금속/반도체 코어-쉘구조의 나노입자 혼합형 가스감지물질 및 이를 이용한 반도체 가스센서(Metal/oxide core-shell structure nanoparticle mixed sensing materials for semiconductor gas sensor) | 새창보기 |
| [KST2014003430][한국건설기술연구원] | 내분비계 장애물질과 의약물질 분해를 위한 나노촉매 | 새창보기 |
| [KST2014004795][대덕특구지원본부] | 전계 방출소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016010113][충남대학교] | 고분산성의 환원된 그래핀 옥사이드 기반 금속 나노입자 분산액의 제조방법 및 이를 이용한 환원된 그래핀 옥사이드 기반 금속 나노입자 필름(MANUFACTURING METHOD OF HYGHLY DISPERSIBLE REDUCED GRAPHENE OXIDE BASED METAL NANOPARTICLE DISPERSION AND METAL NANOPARTICLE FILM USING THEREOF) | 새창보기 |
| [KST2014053245][서울대학교] | 나노 크기의 멜라닌 입자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014062700][신라대학교 산학협력단] | 육불화황 가스의 주입변수 변화를 통한 기하구조가 제어된 탄소코일의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014000602][고려대학교] | 폴리티오펜계 고분자 나노소재 및 이들의 광학특성조절방법 | 새창보기 |
| [KST2015070908][LG그룹] | 양자점 합성 방법 및 그 합성 장치 | 새창보기 |
| [KST2014051254][한국과학기술연구원] | 금속전극 위에서의 반도체 나노선의 정렬방법 | 새창보기 |
| [KST2014006935][한국화학연구원] | 고 친유성 산화마그네슘 나노 입자의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014053594][부산대학교] | 폴리올을 이용한 무극성 탄소나노소재 | 새창보기 |
| [KST2014053922][성균관대학교] | 다공성 나노구조를 갖는 그래핀막의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016007909][한국생산기술연구원] | 탄소 나노 입자 및 금속 유기 구조체를 포함하는 코어-쉘 구조의 나노 복합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 기체 흡수용 조성물(Nanocomposites with core-shell structure comprising carbon nanoparticles and metal-organic frameworks, a preparation method thereof and a composition for absorbing gas comprising the same) | 새창보기 |
| [KST2016009741][한국표준과학연구원] | 금속박편 또는 금속박막에 성장한 그래핀을 임의의 기판에 고분자 레지듀 없이 전사하는 그래핀 가두리 전사방법(Residue free transfer method of graphene/metal samples pasted by limited polymer line) | 새창보기 |
| [KST2014053180][서울대학교] | 셀레늄화구리인듐 나노입자 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2014000661][고려대학교] | 티타니아 나노와이어 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015067228][한양대학교 에리카캠퍼스] | 코어-쉘 구조를 가지는 경-연자성 혼성 구조의 나노입자, 상기 나노입자를 이용하여 제조한 자석 및 이들의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2016006335][서울대학교] | 상온에서 구동가능한 가스센서 및 이의 제조방법(Gas sensor operable at room temperature and preparation method thereof) | 새창보기 |
| [KST2016006336][서울대학교] | 나노입자를 포함하는 가스센서 및 이의 제조방법(Gas sensor comprising nanoparticles and manufacturing method of the same) | 새창보기 |
| [KST2014002820][한국전자기술연구원] | 초미세 니켈 나노입자의 제조방법, 초미세 니켈입자 및이를 포함하는 잉크 조성물 | 새창보기 |
| [KST2014006936][대덕특구지원본부] | 고굴절 무/유기 하이브리드용 나노 졸의 제조 방법 | 새창보기 |
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