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ＴｅＯ2 나노와이어의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015144543
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 TeO2 나노와이어의 형성방법이 개시된다. 개시된 TeO2 나노와이어의 형성방법은 성장용 챔버 내에 금(Au)이 코팅된 기판과 텔루륨(Te) 소스(source)를 이격되게 배치하는 단계와, 성장용 챔버 내를 330℃ 이상 400℃ 미만으로 가열하여 기판 상에 TeO2 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 19/04 (2006.01)
CPC C01B 19/004(2013.01) C01B 19/004(2013.01) C01B 19/004(2013.01)
출원번호/일자 1020110131118 (2011.12.08)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0064484 (2013.06.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현진 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김성민 대한민국 서울특별시 노원구
3 차승남 대한민국 서울 광진구
4 얀, 창젱 중국 경기도 수원시 장안구
5 강대준 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0976401-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-1169469-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0023198-47
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0032838-09
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0490820-08
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장용 챔버 내에 금(Au)이 코팅된 기판과 텔루륨(Te) 소스(source)를 이격되게 배치하는 단계; 및상기 성장용 챔버 내를 330℃ 이상 400℃ 미만으로 가열하여 상기 기판 상에 TeO2 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 TeO2 나노와이어의 형성방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 텔루륨(Te) 소스의 이격거리는 1 ~ 10mm 인 TeO2 나노와이어의 형성방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 TeO2 나노와이어의 성장 온도는 330℃ 이며, 상기 기판과 상기 텔루륨(Te) 소스의 이격거리는 2mm인 TeO2 나노와이어의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 TeO2 나노와이어의 직경은 30nm ~ 50nm인 TeO2 나노와이어의 형성방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 텔루륨(Te) 소스(source)는 플레이트 상에 분말 형태로 마련되는 TeO2 나노와이어의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.