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나노 소자의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015144602
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020110008340 (2011.01.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1094738-0000 (2011.12.09)
공개번호/일자 10-2011-0014258 (2011.02.10) 문서열기
공고번호/일자 (20111216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2008-0098992 (2008.10.09)
관련 출원번호 1020080098992
심사청구여부/일자 Y (2011.01.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김경섭 대한민국 대구광역시 수성구
3 정석원 대한민국 경기도 수원시 팔달구
4 김형진 대한민국 경기 수원시 장안구
5 박성하 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0068126-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0217617-02
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0476013-41
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0476005-86
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0703931-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계;상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계; 및상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하되,상기 표면처리 공정은이온 주입 공정인 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은금(Au), 은(Ag), 실리콘(Si), 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드(SiN), 철(Fe), 카드뮴 셀레나이드(CdSe), 탄소나노튜브(CNT), 버키볼(buckyball) 및 그리핀(Graphine) 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 자기조립 물질층은 DNA 분자, 단백질, 합성고분자 및 탄소 기반 물질 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 탄소 기반 물질은탄소나노튜브(CNT), 버키볼(buckyball) 및 그리핀(Graphine) 중에서 선택된 어느 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 DNA 분자 및 상기 단백질의 각각은 열처리 공정 또는 산성용액으로 제거되고, 상기 합성 고분자는 열처리 공정 또는 화학제를 이용하여 제거되며, 상기 탄소 기반 물질은 탄소계열의 물질을 선택적으로 제거하는 화학제로 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 소자의 형성방법
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1 US2010093160 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7977177 US 미국 DOCDBFAMILY
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