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멤스를 이용한 개방형 프로브

  • 기술번호 : KST2015158859
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 프로브는 기판, 기판 위에 형성되어 있는 제1 도전막, 제1 도전막 위에 형성되어 있는 절연막, 절연막의 내부에 형성되어 있으며 마이크로파가 전송되는 전송선, 전송선의 좌측 또는 우측에 형성되어 있으며, 복수개의 제1 연결 부재를 통해 제1 도전막과 연결되어 있는 접지선, 절연막 위에 형성되어 있는 제2 도전막, 전송선의 좌측 및 우측에 각각 형성되어 있으며 절연막을 관통하여 제1 도전막 및 제2 도전막을 서로 연결하고 있는 제2 연결 부재 및 제3 연결 부재를 포함한다. 이러한 프로브는 MEMS 기술과 마이크로머시닝 기법을 이용하여 직경 1 mm 이하로 제작함으로써 매우 정밀하고, 정확하게 유전율을 측정할 수 있다. MEMS, 마이크로머시닝, 프로브, Probe
Int. CL G01R 1/073 (2006.01)
CPC G01R 1/067(2013.01) G01R 1/067(2013.01) G01R 1/067(2013.01) G01R 1/067(2013.01)
출원번호/일자 1020030067869 (2003.09.30)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0558647-0000 (2006.03.02)
공개번호/일자 10-2005-0031649 (2005.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20060314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.09.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영우 대한민국 경기도성남시분당구
2 김용권 대한민국 서울특별시 강남구
3 박재형 대한민국 서울특별시관악구
4 조제원 대한민국 경기도의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)
2 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0365121-27
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2003.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-5189524-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0022667-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0252781-39
6 의견서
Written Opinion		 2005.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0378647-04
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0378648-49
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0429606-64
9 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2005.10.20 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2005-0594150-25
10 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2005.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0106001-67
11 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2005.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0599647-76
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2005.10.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2005-0025947-02
13 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2005.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0117970-20
14 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0619626-23
15 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2005.12.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2005-0723597-13
16 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2005.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0125150-41
17 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2006.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0006796-46
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 도전막;상기 제1 도전막 위에 형성되어 있는 절연막;상기 절연막의 내부에 형성되어 있으며 마이크로파가 전송되는 전송선;상기 전송선의 신호전달 방향의 좌측 또는 우측에 형성되어 있으며, 복수개의 제1 연결 부재를 통해 상기 제1 도전막과 연결되어 있는 접지선; 상기 절연막 위에 형성되어 있는 제2 도전막;상기 전송선의 좌측 및 우측에 각각 형성되어 있으며, 비아홀(via hole)을 통하여 상기 절연막을 관통하여 상기 제1 도전막 및 제2 도전막을 서로 연결하고 있는 제2 연결 부재 및 제3 연결 부재를 포함하고,상기 전송선의 한쪽 일단부와 상기 접지선의 한쪽 일단부가 상기 절연막의 외부로 일부만 노출되어 있는 프로브
2 2
삭제
3 3
제2항에서, 상기 전송선의 일단부의 폭은 25 내지 45㎛이고, 두께는 3 내지 10㎛인 프로브
4 4
제1항에서, 상기 절연막은 제1 절연막, 상기 제1 절연막 위에 형성되어 있는 제2 절연막을 포함하고, 상기 전송선은 상기 제1 절연막 및 상기 제2 절연막 사이에 형성되어 있는 프로브
5 5
제4항에서, 상기 접지선은 상기 제1 절연막의 비아홀을 채우고 있는 복수개의 제1 연결 부재를 통해 상기 제1 도전막과 연결되어 있는 프로브
6 6
제1항에서, 상기 절연막은 폴리머인 프로브
7 7
기판 위에 제1 도전막을 형성하는 단계,상기 제1 도전막 위에 제1 절연막을 형성하는 단계,상기 제1 절연막을 관통하는 복수개의 제1 연결 부재를 형성하는 단계,상기 제1 절연막 위에 전송선 및 접지선을 형성하는 단계,상기 전송선 및 접지선 위에 제2 절연막을 형성하는 단계,상기 전송선의 좌측 및 우측에 각각 형성되며 비아홀(via hole)을 통하여 상기 제1 절연막 및 제2 절연막을 관통하는 제2 연결 부재 및 제3 연결 부재를 형성하는 단계, 상기 전송선의 한쪽 일단부와 상기 접지선의 한쪽 일단부가 상기 제1 절연막 및/또는 상기 제2 절연막 상부에 일부 노출되도록 노출형성단계,상기 제2 절연막 위에 제2 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 프로브의 제조 방법
8 7
기판 위에 제1 도전막을 형성하는 단계,상기 제1 도전막 위에 제1 절연막을 형성하는 단계,상기 제1 절연막을 관통하는 복수개의 제1 연결 부재를 형성하는 단계,상기 제1 절연막 위에 전송선 및 접지선을 형성하는 단계,상기 전송선 및 접지선 위에 제2 절연막을 형성하는 단계,상기 전송선의 좌측 및 우측에 각각 형성되며 비아홀(via hole)을 통하여 상기 제1 절연막 및 제2 절연막을 관통하는 제2 연결 부재 및 제3 연결 부재를 형성하는 단계, 상기 전송선의 한쪽 일단부와 상기 접지선의 한쪽 일단부가 상기 제1 절연막 및/또는 상기 제2 절연막 상부에 일부 노출되도록 노출형성단계,상기 제2 절연막 위에 제2 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 프로브의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.