| 요약 |
코플래나 웨이브 가이드에 있어서, 기판 위에 금(Au) 등의 도전 물질로 띠 모양으로 이루어져 있는 중앙 전송선이 형성되어 있고, 중앙 전송선 양측으로 접지 전송선이 중앙 전송선과는 분리되어 형성되어 있다. 이 때, 중앙 전송선과 가까운 양쪽 접지 전송선의 측부가 기판으로부터 높이 H 만큼 들려 있고, 또, 들린 양쪽 접지 전송선의 측부가 중앙 전송선의 일부와 중첩되는 부분을 가진다. 이렇게 하면, 들린 양쪽 접지 전송선의 측부와 중앙 전송선의 일부를 중첩시킴으로써 종래 코플라나 웨이브 가이드에서 구현하기 어려운 매우 낮은 특성 임피던스를 가지는 웨이브 가이드를 구현할 수 있다. 또, 들린 양측 접지 전송선의 측부를 중앙 전송선의 측부와 중첩시키지 않고 분리시킴으로써 똑같은 크기의 종래 코플라나 웨이브 가이드 보다 더 높은 특성 임피던스를 가지는 웨이브 가이드를 구현할 수 있다. 또한, 접지 전송선과 중앙 전송선의 사이에 형성되는 전기장을 넓은 영역으로 분산시켜 접지 전송선과 중앙전송선의 측부에 흐르는 전류 밀도를 감소시킴으로써 코플래나 웨이브 가이드의 도전 손실을 감소시키는 효과가 있다. 여기서, 떠 있는 높이 H가 높을수록 들린 접지 전송선 측부와 중앙 전송선 사이에 전기장이 약해지고 또, 이 전기장이 넓은 영역으로 분산되므로 전송선 상의 전류밀도가 낮아져 도전 손실이 감소되는데, 떠 있는 높이 H를 크게 하기 위해 마이크로머시닝 기술을 사용한다. 뿐만 아니라, 중앙 도전체와 접지 도전체 사이의 공간에 전기장을 집중시킴으로써 기판 손실을 차단하는 효과도 있다. 그리고, 양측 접지 전송선의 측부가 공중에 들려 있으므로 양측 접지 전송선의 일부가 중앙 전송선 위로 에어브리지를 통해 쉽게 연결될 수 있다. 따라서 양측 접지 전송선 간의 등전위 구현에 유리하다. 또한, 에어브리지 구현에 있어서, 중앙 전송선의 구조가 변하지 않고, 양측 접지 전송선의 일부가 연결되는 구조를 가지므로 에어브리지 연결부에서 발생되는 임피던스 부정합 반사 손실과 고차 모드 발생에 의한 반사 손실과 방사 손실 등을 줄이는 효과도 있다. 특히, MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuits)회로의 전송선으로 사용될 경우, 에어브리지 형성이 매우 용이하므로, 에이브리지를 이용하는 수동 소자 및 반도체 회로 최종 제조 성공률(수율)을 매우 높일 수 있는 장점도 있다. 마이크로머시닝, 코플래나웨이브가이드, 인버티드, 임피던스, 중첩, 도전손실, 유전체손실
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