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기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 도전 패턴, 상기 제1 도전 패턴 및 기판 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 절연막의 내부에 형성되어 있는 연결 부재를 통해 상기 제1 도전 패턴과 연결되는 제2 도전 패턴을 포함하고, 상기 제1 도전 패턴은 전송선, 상기 전송선의 좌측 또는 우측에 형성되어 있는 접지선을 포함하며, 상기 전송선은 상기 연결 부재를 통해 상기 제2 도전 패턴과 연결되는 프로브
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제1항에서, 상기 제2 도전 패턴은 전송막, 상기 전송막과 소정 간격 이격되어 상기 전송막을 둘러싸고 있는 차폐막으로 이루어진 프로브
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제1항에서, 상기 전송선은 상기 연결 부재를 통해 상기 전송막과 연결되는 프로브
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제1항에서, 상기 전송막은 원형인 프로브
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제1항에서, 상기 연결 부재는 상기 제1 도전 패턴의 일부를 노출하는 비아 홀에 형성되어 있는 프로브
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제1항에서, 상기 절연막은 BCB인 프로브
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기판 위에 제1 도전 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 도전 패턴 및 기판 위에 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막에 상기 제1 도전 패턴의 전송선의 일부를 노출하는 비아 홀을 형성하는 단계, 상기 절연막을 식각하여 상기 제1 도전 패턴의 전송선 및 접지선의 일부를 노출하는 단계, 상기 비아 홀을 채워서 연결 부재를 형성하는 단계, 상기 절연막 위에 상기 제2 도전 패턴을 형성하는 단계 를 포함하고, 상기 제2 도전 패턴 중 전송막은 상기 연결 부재를 통해 상기 제1 도전 패턴의 전송선과 연결되는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제1 도전 패턴은 전기 도금법, 스퍼터링 후 식각 공정 또는 실크프린팅 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제1 도전 패턴은 전송선 및 전송선 양측의 접지선으로 이루어지는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제1 도전 패턴은 1 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께로 형성하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 절연막은 BCB인 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 절연막은 스핀 코팅 방식으로 형성하는 단계, 상기 절연막을 205℃ 내지 215℃ 의 열처리를 통해 경화하는 단계 를 포함하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 절연막은 10 내지 40 ㎛의 두께로 형성하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 비아 홀을 형성하는 단계는 상기 절연막 위에 금속으로 식각 마스크막을 형성하는 단계, 상기 절연막을 산소 플라즈마를 이용하여 수직 식각하는 단계 를 포함하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 비아 홀을 형성하는 단계는 상기 절연막 위에 사진 식각 마스크를 형성하는 단계, 상기 절연막을 노광 및 현상하여 비아 홀을 형성하는 단계 를 포함하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 비아 홀의 직경은 50 ㎛ 내지 200 ㎛ 인 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 연결 부재는 전기 도금법을 이용하여 상기 비아 홀에 금을 성장시켜 형성하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 연결 부재는 실크 프린팅 방법을 이용하여 상기 비아 홀에 도전성 에폭시를 채워 형성하는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제2 도전 패턴은 원형의 전송막 및 상기 전송막을 둘러싸는 차폐막으로 이루어지는 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제2 도전 패턴은 전기 도금법, 스퍼터링 후 식각 공정 또는 실크프린팅 중 어느 하나의 방법으로 형성하는 프로브의 제조 방법
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제20항에서, 상기 전송막 및 차폐막 사이의 간격은 1 ㎛ 이내인 프로브의 제조 방법
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제7항에서, 상기 제1 도전 패턴을 커넥터와 연결하는 단계, 상기 커넥터 연결부분에 차폐 커버를 형성하는 단계 를 더 포함하는 프로브의 제조 방법
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제23항에서, 상기 제1 도전 패턴의 전송선은 커넥터의 중심축선과 연결되는 프로브의 제조 방법
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제23항에서, 상기 차폐 커버는 금속으로 된 지그 또는 동박 테이프인 프로브의 제조 방법
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제23항에서, 상기 차폐 커버는 금속으로 된 지그 또는 동박 테이프인 프로브의 제조 방법
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