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고비저항 기판 위의 산화물을 제거하기 위하여 고비저항 기판을 식각용액으로 처리하는 단계 및 상기 식각용액으로 처리한 고비저항 기판을 금속활성화 용액으로 표면활성화시키는 단계로 이루어지는 전처리 단계; 및 상기 표면활성화된 기판에 전해도금용액을 이용하여 금속박막을 형성시키는 본처리 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 식각용액이 불산(HF) 용액임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 식각용액으로 고비저항 기판을 처리하는 시간이 10 내지 15분임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 식각용액으로 고비저항 기판을 처리하기 위한 식각용액의 농도가 0
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제1항에 있어서, 상기 금속활성화 용액이 금(Au) 활성화용액, 팔라듐(Pd) 활성화용액 및 루테늄(Ru) 활성화용액으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 금속활성화 용액의 농도가 0
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제1항에 있어서, 상기 금속활성화 용액이 염화금(AuCl3) 용액이고, 염화금 용액으로 기판의 표면을 활성화시키는 데 걸리는 시간이 2 내지 6분임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 금속활성화 용액이 염화팔라듐(PdCl2) 용액이고, 염화팔라듐 용액으로 기판의 표면을 활성화시키는 데 걸리는 시간이 15 내지 25초임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 본처리 단계가 대기 분위기와 10 내지 100℃의 온도조건에서 전해도금용액에 표면활성화시킨 기판을 넣은 후 환원전위를 인가하여 금속박막을 형성함을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 전해도금용액이 루테늄(Ru) 전해도금용액 또는 구리(Cu) 전해도금용액 중 어느 하나임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제10항에 있어서, 상기 전해도금용액이 루테늄 전해도금용액이고, 루테늄 전해도금용액의 농도가 0
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제10항에 있어서, 상기 전해도금용액이 구리 전해도금용액이고, 구리 전해도금용액의 농도가 20 내지 30g/L이며, 인가된 환원전위가 -0
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제10항에 있어서, 상기 전해도금용액으로 금속박막을 형성하기 위한 증착 시간이 4 내지 8분임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 고비저항 기판이 비저항이 10 내지 90μΩ·cm인 전도성 물질임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 고비저항 기판이 질화티타늄(TiN) 또는 질화탄타륨(TaN) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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제1항 내지 제14항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 고비저항 기판이 질화티타늄(TiN) 또는 질화탄타륨(TaN) 중 어느 하나임을 특징으로 하는 전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
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