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고전압 발생 장치(HIGH VOLTAGE GENERATOR)

  • 기술번호 : KST2015231178
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 기술에 의한 고전압 발생 장치는 입력 전압의 레벨을 변환하여 출력하는 전압 변환부 및 외부 전압을 상기 입력 전압으로 제공하되 상기 전압 변환부의 출력 전압과 기준 전압에 따라 상기 입력 전압의 상승 속도를 제어하는 프리차지 제어부를 포함할 수 있다.
Int. CL G05F 1/46 (2006.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) G11C 11/4074 (2006.01.01) H02M 3/07 (2006.01.01)
CPC G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01) G05F 1/465(2013.01)
출원번호/일자 1020140075164 (2014.06.19)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2120139-0000 (2020.06.02)
공개번호/일자 10-2015-0145879 (2015.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20200608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.21)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영일 대한민국 서울특별시 성동구
2 이상선 대한민국 서울특별시 강동구
3 최성욱 대한민국 경기도 안양시 만안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김선종 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 *** (서초동, 서초현대타워아파트) ****(김선종 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0575376-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-1159585-18
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.12.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0051187-01
9 등록결정서
Decision to grant
2020.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0318184-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입력 전압의 레벨을 변환하여 출력하는 전압 변환부 및외부 전압을 상기 입력 전압으로 제공하되 상기 전압 변환부의 출력 전압과 기준 전압에 따라 상기 입력 전압의 상승 속도를 제어하는 프리차지 제어부를 포함하는 고전압 발생 장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 프리차지 제어부는제어 신호에 따라 상기 외부 전압을 상기 입력 전압으로 전달하는 전압 전달부;상기 출력 전압에 따라 결정되는 제 1 피드백 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 제 1 제어 전압을 생성하는 제 1 제어 전압 생성부;상기 제 1 제어 전압과 상기 입력 전압에 의해 결정되는 제 2 제어 전압에 따라 상기 제어 신호의 레벨을 제어하는 제 1 제어부; 및상기 제 1 피드백 전압과 상기 기준 전압을 비교하여 상기 제어 신호의 레벨을 제어하는 제 2 제어부를 포함하는 고전압 발생 장치
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 출력 전압을 전압 분배하여 상기 제 1 피드백 전압을 생성하는 제 1 전압 분배부를 더 포함하는 고전압 발생 장치
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 입력 전압을 전압 분배하여 상기 제 2 피드백 전압을 생성하는 제 2 전압 분배부를 더 포함하는 고전압 발생 장치
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 제어부는 상기 제 1 제어 전압과 상기 제 2 제어 전압의 차이를 증폭하는 제 1 증폭부 및상기 제 1 증폭부의 출력을 상기 외부 전압의 레벨로 증폭하여 출력하는 제 2 증폭부를 포함하는 고전압 발생 장치
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 제 1 제어부는 상기 제 2 증폭부의 출력을 버퍼링하여 출력하는 제 3 증폭부를 더 포함하는 고전압 발생 장치
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 제 2 증폭부는 제 1 증폭부의 출력에 따라 제어되는 NMOS 트랜지스터와 상기 NMOS 트랜지스터와 상기 외부 전압 사이에 연결된 저항을 포함하는 고전압 발생 장치
8 8
청구항 2에 있어서, 상기 제 2 제어부는상기 제 1 피드백 전압과 상기 기준 전압을 비교하는 비교부 및상기 비교부의 출력에 따라 상기 전압 전달부가 완전히 턴온 상태가 되도록 상기 제어 신호의 레벨을 제어하는 스위치를 포함하는 고전압 발생 장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 비교부는 히스테리시스 타입의 비교기이고 상기 스위치는 NMOS 트랜지스터인 고전압 발생 장치
10 10
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 제어 전압 생성부는상기 외부 전압보다 낮은 전압을 갖는 전원에 연결된 제 1 전류원과 상기 제 1 전류원과 그라운드 단자 사이에 병렬 연결되는 제 1 스위치 및 제 2 스위치를 포함하되, 상기 제 1 스위치는 상기 기준 전압에 따라 제어되고 상기 제 2 스위치는 상기 제 1 피드백 전압에 따라 제어되는 고전압 발생 장치
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 외부 전압보다 낮은 전압을 갖는 전원에 연결된 제 2 전류원과 상기 제 2 전류원과 그라운드 단자 사이에 연결되어 상기 제 2 피드백 전압에 따라 제어되는 제 3 스위치를 더 포함하는 고전압 발생 장치
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 제 1 스위치, 상기 제 2 스위치 및 상기 제 3 스위치는 PMOS 트랜지스터를 포함하는 고전압 발생 장치
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 전압 변환부는 다수의 단위 펌프를 포함하는 전하 펌핑 장치인 고전압 발생 장치
14 14
청구항 2에 있어서, 상기 전압 전달부는 게이트에 상기 제어 신호가 인가되고 소스와 드레인이 상기 외부 전압과 상기 전압 변환부의 입력단 사이에 연결되는 PMOS 트랜지스터를 포함하는 고전압 발생 장치
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 프리차지 제어부는 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인에 연결된 제 1 보호 다이오드를 더 포함하는 고전압 발생 장치
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 프리차지 제어부는 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 제 2 제어부 사이에 연결된 제 2 보호 다이오드를 더 포함하는 고전압 발생 장치
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 프리차지 제어부는 상기 PMOS 트랜지스터의 게이트와 상기 외부 전압 사이에 연결된 제 3 보호 다이오드를 더 포함하는 고전압 발생 장치
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 제 2 보호 다이오드와 상기 제 3 보호 다이오드는 동시에 턴온되지 않는 고전압 발생 장치
19 19
청구항 1에 있어서, 상기 외부 전압이 일정 전압 이하로 하강하는 경우 상기 전압 변환부를 방전시키는 방전부를 더 포함하는 고전압 발생 장치
20 20
청구항 19에 있어서, 상기 방전부는 상기 외부 전압을 상기 일정 전압과 비교하여 방전 제어 신호를 출력하는 방전 제어부; 및 상기 방전 제어 신호에 따라 상기 전압 변환부와 접지 단자 사이에 방전 통로를 형성하는 방전 스위치를 포함하는 고전압 발생 장치
21 21
청구항 20에 있어서, 상기 방전 제어부는 상기 외부 전압을 저항 분배하여 감지 전압을 출력하는 제 3 저항 분배부; 및 상기 감지 전압과 방전 기준 전압을 비교하여 상기 방전 제어 신호를 출력하는 제 2 비교부를 포함하는 고전압 발생 장치
22 22
청구항 20에 있어서, 상기 전압 변환부는 다수의 단위 펌프를 포함하는 전하 펌핑 장치인 고전압 발생 장치
23 23
청구항 22에 있어서, 상기 방전 스위치는 상기 다수의 단위 펌프들 사이의 노드들과 접지 단자 사이에 소스와 드레인이 연결되고 게이트에 상기 방전 제어 신호가 인가되는 다수의 모스 트랜지스터를 포함하는 고전압 발생 장치
지정국 정보가 없습니다
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