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한 쌍의 전극을 연결하는 전도성고분자로 된 나노와이어를 형성하여 나노센서를 제조하는 방법에 있어서,
부전도체 기판 상부에 한 쌍의 전극을 상호 이격되게 설치하는 전극설치단계와;
상기 전극 상부에 개방홀이 형성된 절연층을 적층하는 절연층 적층단계와;
상기 절연층의 개방홀에 전도성고분자가 적층되게 하는 전도성고분자 적층단계와;
상기 절연층과 전도성고분자가 적층된 상기 전극을 절연층제거액에 침지시켜 상기 절연층을 제거하는 절연층 제거단계를 포함하되,
상기 전극은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd)과 같은 금속류 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전도성고분자 적층단계는 전도성고분자를 형성할 수 있는 화학물질이 용해된 현탁액에 침지하여 산화반응이나 환원반응에 의해 상기 전극 상부에 위치하는 절연층의 개방홀에 전도성고분자를 적층 부착하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 전도성고분자 적층단계는 진공챔버안에서 증착(vapor deposition)에 의해 전도성고분자를 상기 절연층의 개방홀에 적층하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층 적층단계에서 상기 절연층의 개방홀 길이는 50나노미터 내지 20마이크로미터로 형성하며, 폭은 5 내지 1000나노미터로 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층은 포토레지스트(Photoresist), 이빔레지스트(E-beam resist), 유리(SiO2), 질화규소(Si3N4) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 2항에 있어서,
상기 전도성고분자 적층단계에서 상기 현탁액은 전도성고분자의 모노머와 염 및 산화제나 환원제를 용매에 용해한 용액인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 전도성고분자의 모노머는 피롤(pyrrole), 아닐린(aniline), 티오펜(thiophene), 아세틸렌(acetylene), 이닷(EDOT) 및, 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자의 모노머 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 염은 염화칼륨(KCl), 염화수소(HCl), pTSA(p-toluenesulfonic acid), NaDBS(dodecylbenzenesulfonic acid sodium salt), CSA(10-camphorsulfonic acid), 과염소산리튬(LiClO4) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 용매는 물, 아세토니트릴(CH3CN), 에틸알코올(CH3CH2OH) 및 이들의 혼합액 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 산화제나 환원제는 FeCl3, Fe(OTs)3, Fe2(SO4)3, Na2S2O8, Ni(cod)2(cod=1,5-cyclooctanadiene), Ni(PPh3)2Cl2(PPh=phenylphosphine), AsF5, (NH4)2S2O8, H2O2 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층 제거단계에서 상기 절연층제거액은 아세톤용액, 불산(HF)용액, 인산(H3PO4)용액 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 3항에 있어서,
상기 전도성고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 및, 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 절연층 제거단계 후에는 상기 전극과 상기 전도성고분자 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록 상기 전극과 상기 전도성고분자가 접촉하는 부분에 대해 금속층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제 14항에 있어서,
상기 금속층은 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 중 선택된 어느 하나로 형성한 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서 제조방법
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제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제15항 중 어느 하나의 전도성고분자 나노센서 제조방법을 이용하여 제조되는 나노센서에 관한 것으로,
부전도체 기판과;
상기 부전도체 기판 상부에 상호 일정간격 이격되게 설치하는 한 쌍의 전극; 및,
상호 이격되게 설치된 상기 전극을 연결하는 와이어로서 전도성고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서
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제 16항에 있어서,
상기 전극의 상기 전도성고분자와 접촉하는 부분에는 상기 전극과 상기 전도성고분자 사이의 접촉저항을 줄일 수 있도록 금속층을 더 형성한 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서
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제 16항에 있어서,
상기 전도성고분자는 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리티오펜(polythiophene), 폴리아세틸렌(polyacetylene), 피닷(PEDOT) 및, 이들의 유도체 즉 CO2H, NH2, SH와 같은 작용기를 가지는 전도성고분자 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성고분자 나노센서
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