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스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법에 있어서,ⅰ) 실리콘 기판을 준비하는 단계;ⅱ) 상기 실리콘 기판의 일면 또는 양면에 산화실리콘막을 형성하는 단계;ⅲ) 상기 산화실리콘막의 일면 또는 양면에 다결정 실리콘막을 증착하는 단계;ⅳ) 상기 증착된 다결정 실리콘막 일면에 붕소이온을 주입하는 단계;ⅴ) 상기 iv) 단계까지 완료한 실리콘 기판을 어닐링하는 단계;ⅵ) 상기 어닐링된 실리콘 기판의 붕소이온이 주입된 다결정 실리콘막 상면에 전극을 형성하는 단계;ⅶ) 상기 전극을 온도센서 형상으로 패터닝하고 에칭하는 단계;ⅷ) 상기 붕소이온이 주입된 다결정 실리콘막에서 전극이 형성되지 않은 노출면 일부를 에칭하는 단계; 및ⅸ) 민감도를 높이기 위해 상기 산화 실리콘막 표면 일부를 에칭하는 단계;를 포함하며,상기 ⅰ) 단계의 실리콘 기판은 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 ⅱ) 단계에서, 상기 실리콘 기판의 일면 또는 양면에 노(Furnace) 장비를 이용하여 0
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제 1항에 있어서,상기 ⅴ) 단계에서, 상기 실리콘 기판을 600 ~ 1000℃에서 20 ~ 60분간 어닐링하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 ⅵ) 단계에서, 상기 전극은 스퍼터링으로 형성하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 ⅸ) 단계에서, 상기 산화 실리콘막 표면을 30~70 μm 식각하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 ⅸ) 단계 이후에,ⅹ) 상기 전극이 형성된 면의 반대면의 실리콘을 150~250 μm 남기고 나머지를 식각하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 맥박센서 제조방법
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스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법에 있어서,Ⅰ) 미세한 스트레인에 대응하여 유연하게 변형되는 기판을 준비하는 단계;Ⅱ) 상기 기판 위에 맥박센서를 설치하는 단계; 및Ⅲ) 상기 맥박센서 위에 전극 패드를 설치하는 단계;를 포함하며,상기 맥박센서는 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 맥박센서인 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 Ⅰ) 단계와 상기 Ⅱ) 단계 사이에,Ⅰ') 상기 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법
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제 8항에 있어서,상기 Ⅱ) 단계에서, 상기 스트레인 센서는 상기 절연층 위에 어레이(array) 구조로 설치하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 Ⅱ) 단계에서, 상기 스트레인 센서는 저항체(diaphragm)로서, 단결정 실리콘 박막을 적용하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법
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제 7항에 있어서,상기 Ⅲ) 단계에서, 상기 전극 패드는 상기 스트레인 센서 상면부 일면에 설치하는 것을 특징으로 하는 스트레인 게이지를 이용한 실시간 맥박 측정 장치의 제조방법
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