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양자점이 혼합된 나노선 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015133100
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점이 혼합된 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 및 양자점을 포함하는 나노선을 제공한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120073195 (2012.07.05)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1505709-0000 (2015.03.18)
공개번호/일자 10-2014-0006401 (2014.01.16) 문서열기
공고번호/일자 (20150325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진수 대한민국 서울 중랑구
2 이석호 대한민국 서울 성북구
3 이용백 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0537727-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019621-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0628465-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0943042-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0943044-57
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0058671-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0139846-00
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0139847-45
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0197301-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2014.06.16 수리 (Accepted) 7-8-2014-0014891-05
14 등록결정서
Decision to grant
2015.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0133935-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 및 양자점을 포함하며,폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 양자점 및 용매의 혼합용액으로 나노 기공이 형성된 템플레이트를 습윤시키는 방법을 통해 제조됨으로써 양자점이 나노선의 표면 및 내부에 분산되어 있고,폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 및 양자점의 중량비는 1:0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
용매에 폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 및 양자점을 혼합하여 혼합용액을 만드는 단계;혼합용액으로 나노 기공이 형성된 템플레이트를 습윤시켜 템플레이트의 나노 기공에 혼합용액을 주입하는 단계;용매를 증발시켜 제거하는 단계; 및템플레이트를 제거하는 단계를 포함하며,양자점은 나노선의 표면 및 내부에 분산되어 있고,템플레이트는 Al2O3로 이루어지며,습윤 방법은 혼합용액을 템플레이트 위로 적하시켜 스며들게 하는 것이고,폴리(3-헥실티오펜), [6,6]-페닐-C61-부티르산 메틸 에스터, 및 양자점의 중량비는 1:0
8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.