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초점 전자빔을 이용한 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법, 나노 바코드 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노 바코드

  • 기술번호 : KST2015132532
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초점 전자빔을 이용하여 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성을 부분적으로 변화시키는 방법, 나노 바코드를 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 나노 바코드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법은 발광 고분자 물질의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하여, 초점 전자빔이 조사된 부분의 발광 고분자 물질의 물성을 변화시킨다. 본 발명에 따른 나노 바코드 제조방법은 π-공액 발광 고분자 나노선을 포함하는 나노 바코드를 제조하는 방법으로, π-공액 발광 고분자 나노선의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하되, 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분과 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 도핑 상태, 구조 및 발광 특성이 서로 다르게 되도록 초점 전자빔이 조사된다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) G06K 1/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100043910 (2010.05.11)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1122675-0000 (2012.02.24)
공개번호/일자 10-2011-0124502 (2011.11.17) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.11)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진수 대한민국 서울특별시 중랑구
2 홍영기 대한민국 서울특별시 성북구
3 박동혁 대한민국 서울특별시 성북구
4 조성기 대한민국 인천광역시 남동구
5 구민호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301982-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2011-0071917-10
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0109207-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 고분자 물질의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하여, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 발광 고분자 물질은 나노선(nanowire), 나노로드(nanorod), 나노튜브(nanotube) 및 나노판(nanoplate) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어진 나노구조체인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 발광 고분자 물질은 π-공액 발광 고분자 나노선(nanowire)인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 크기는 나노 크기(nano size) 이상인 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물성을 변화시키는 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선을 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 위치시킨 후, 상기 초점 전자빔을 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 원하는 부분에 조사하는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
6 6
제3항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 나노 다공성 템플레이트(nanoporous template)를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
7 7
제3항에 있어서,상기 초점 전자빔은 전자빔 리쏘그라피(E-beam lithography) 장치, 주사전자현미경(scanning electron microscope) 및 투과전자현미경(transmission electron microscope) 중 적어도 하나에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
8 8
제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 직경은 1 nm 내지 1000 nm 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
9 9
제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 밀도는 1
10 10
제3항에 있어서,상기 초점 전자빔의 에너지가 증가할수록 밀도가 작은 초점 전자빔을 이용하거나, 상기 초점 전자빔의 에너지가 감소할수록 밀도가 큰 초점 전자빔을 이용하여, 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성을 부분적으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
11 11
제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 폴리티오펜, 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리티오펜비닐렌, 폴리(p-페닐렌), 폴리(p-페닐아세틸렌) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1종의 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
12 12
제3항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선과 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 도핑 상태, 구조적 특성 및 발광 특성 중 적어도 하나가 한 가닥 내에서 서로 다르게 되도록 상기 초점 전자빔이 조사되는 것을 특징으로 하는 발광 고분자 물질의 물성을 변화시키는 방법
13 13
π-공액 발광 고분자 나노선을 포함하는 나노 바코드를 제조하는 방법으로,상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 일부분에 초점 전자빔(focused E-beam)을 조사하되, 상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분과 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성이 서로 다르게 되도록 상기 초점 전자빔이 조사되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 물성은 구조적 특성 및 발광 특성 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
15 15
제13항에 있어서,상기 초점 전자빔은 상기 초점 전자빔이 조사된 부분의 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성이 변화되도록 조사되며,상기 나노 바코드는 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
16 16
제15항에 있어서,상기 나노 바코드는 PL(photoluminescence) 크기로부터 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
17 17
제15항에 있어서,상기 나노 바코드는 PL 색으로부터 상기 π-공액 발광 고분자 나노선의 발광 특성의 변화를 인식하는 컬러 나노 바코드인 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 초점 전자빔이 조사된 부분은 상기 초점 전자빔이 조사되지 않은 부분에 비해 PL 색이 적색 천이(red-shift)된 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
19 19
제17항에 있어서,상기 초점 전자빔의 밀도 및 에너지 중 적어도 하나가 증가함에 따라 상기 초점 전자빔이 조사된 부분이 적색 천이되고, PL 크기가 증가하는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
20 20
제17항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자는 P3MT(poly(3-methylthiophene))이고, 상기 초점 조사빔이 조사되지 않은 부분의 PL 색은 녹색이며, 상기 초점 전자빔의 밀도가 5
21 21
제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서,상기 초점 전자빔은 전자빔 리쏘그라피 장치, 주사전자현미경 및 투과전자현미경 중 적어도 하나에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드 제조방법
22 22
π-공액 발광 고분자 나노선을 포함하는 나노 바코드로서, 제13항 내지 제20항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 나노 바코드
23 23
제22항에 있어서,상기 π-공액 발광 고분자 나노선은 부분적으로 물성이 상이한 단일 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 바코드
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1 한국과학재단 고려대학교산학협력단 원자력연구개발사업 초점 전자빔을 이용한 기능성 고분자 나노선 나노규모 개질 연구