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기판;상기 기판 상에 형성되는 드레인 전극;상기 기판 상에 상기 드레인 전극과 이격되어 형성되는 소스 전극;상기 기판 상에 형성되고, 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간을 전기적으로 연결하는 채널 영역을 포함하는 채널층;상기 기판 상에 상기 채널 영역과 이격되어 형성되는 게이트 전극; 및상기 기판 상에 상기 채널층과 상기 게이트 전극을 연결하도록 형성되는 액정층을 포함하는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 액정층은, 상기 채널층의 상기 채널 영역 측 상면과 상기 게이트 전극에 동시에 접촉되도록 형성되는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극은, 상기 드레인 전극 또는 상기 소스 전극을 기준으로 상기 채널 영역의 반대 측 영역에 형성되는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 액정층은 상기 게이트 전극의 전압에 따라 분자 배향이 변화되는 액정 분자들을 포함하는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 액정층은 네마틱 액정 분자들을 포함하는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 액정층은 4-시아노-4'펜틸바이페닐을 포함하는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 채널층은 유기 반도체층을 포함하는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 액정층은, 상기 채널 영역과 상기 게이트 전극 간을 절연하는 게이트 절연층으로서의 기능을 갖는 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 채널층 및 상기 게이트 전극 상에, 상기 채널 영역과 상기 게이트 전극의 적어도 일부를 둘러싸도록 형성되는 보호벽을 더 포함하고,상기 액정층은 상기 보호벽의 내측에 형성되는 트랜지스터
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10
제9 항에 있어서,상기 보호벽의 상부 측 개방부를 덮는 보호층을 더 포함하는 트랜지스터
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제10 항에 있어서,상기 보호벽 및 상기 보호층은 폴리머 필름을 포함하는 트랜지스터
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제10 항에 있어서,상기 보호벽 및 상기 보호층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 포함하는 트랜지스터
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드레인 전극;상기 드레인 전극과 이격된 소스 전극;상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 간을 전기적으로 연결하는 채널 영역을 포함하는 채널층;상기 채널 영역과 이격된 게이트 전극;상기 채널층 상에 형성되고, 상기 채널 영역으로부터 상기 게이트 전극으로 연장하여 형성되는 액정층을 포함하는 트랜지스터
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제13 항에 있어서,상기 액정층은, 상기 채널 영역과 상기 게이트 전극 간을 절연하는 게이트 절연층으로서의 기능을 갖는 트랜지스터
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기판 상에 드레인 전극과 소스 전극을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극 사이의 영역과 이격되도록 게이트 전극을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 드레인 전극 및 상기 소스 전극 간을 전기적으로 연결하는 채널 영역을 포함하는 채널층을 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 채널층과 상기 게이트 전극을 연결하도록 액정층을 형성하는 것을 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 액정층을 형성하는 것은, 상기 채널층의 상기 채널 영역 측 상면과 상기 게이트 전극에 동시에 접촉되도록 상기 액정층을 형성하는 트랜지스터의 제조 방법
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제15 항에 있어서,상기 채널층 및 상기 게이트 전극 상에, 상기 채널 영역과 상기 게이트 전극의 적어도 일부를 둘러싸도록 보호벽을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 액정층을 형성하는 것은, 상기 보호벽의 내측에 상기 액정층을 형성하는 트랜지스터의 제조 방법
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제17 항에 있어서,상기 보호벽의 내측에 상기 액정층을 형성한 후, 상기 보호벽의 상부 측 개방부를 덮는 보호층을 형성하는 것을 더 포함하는 트랜지스터의 제조 방법
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