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화합물 반도체를 포함하는 에미터층을 갖는 광흡수층;상기 광흡수층 상부에 배치되고, 태양광이 입사되는 입사면에 전체적으로 형성된 투명 나노와이어 전극인 제1 전극;상기 광흡수층과 상기 제1 전극 사이에 개재되고, 제1 전극이 형성된 영역을 전체적으로 커버하도록 형성된 제1 오믹 콘택층;상기 광흡수층 하부에 배치된 제2 전극; 및상기 광흡수층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 제2 오믹 콘택층을 포함하고,상기 제1 전극은 외부에서 전압을 인가받는 패드 전극과 부분적으로 중첩되어 연결되어, 상기 제1 전극과 상기 제1 오믹 콘택층 사이에 상기 패드 전극이 개재되도록 배치되고,상기 제1 전극과 직접 접촉하는 제1 오믹 콘택층의 두께는 30 nm 내지 50 nm이고,상기 패드 전극의 하부에 배치된 제1 오믹 콘택층의 두께는 100 nm 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는,화합물 반도체 태양전지
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화합물 반도체를 포함하는 에미터층을 갖는 광흡수층의 일면에 상기 광흡수층을 전체적으로 커버하는 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상의 일 영역에 외부에서 전압을 인가받는 패드 전극을 형성하는 단계;상기 패드 전극을 식각 방지막으로 이용하여 상기 반도체층을 이방성 식각하여, 상기 패드 전극의 하부에는 상기 반도체층의 초기 두께와 동일한 제1 두께로 잔류하고 상기 패드 전극 미형성 영역에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께로 잔류하는 제1 오믹 콘택층을 형성하는 단계;상기 제1 오믹 콘택층과 상기 패드 전극을 전체적으로 커버하도록 나노와이어 전극인 제1 전극을 형성하는 단계;상기 광흡수층의 일면의 반대면에 제2 오믹 콘택층을 형성하는 단계; 및상기 제2 오믹 콘택층과 접촉하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는,화합물 반도체 태양전지의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 오믹 콘택층을 형성하는 단계는 상기 제2 두께가 30 nm 내지 50 nm이도록 이방석 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는,화합물 반도체 태양전지의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는 상기 제2 오믹 콘택층을 형성하는 단계 이후에 수행하고,상기 제2 오믹 콘택층을 형성한 후 상기 제2 전극을 형성하기 전에 상기 광흡수층 및 상기 제1 오믹 콘택층의 일부를 제거하여 제2 오믹 콘택층을 부분적으로 노출시키는 단계를 더 포함하고,상기 제2 전극은 상기 광흡수층과 상기 제1 오믹 콘택층이 제거되어 노출된 제2 오믹 콘택층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는,화합물 반도체 태양전지의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 제1 두께는 100 nm 내지 150 nm이고,상기 제2 두께는 30 nm 내지 50 nm인 것을 특징으로 하는,화합물 반도체 태양전지의 제조 방법
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