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질화물 태양 전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014060760
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 태양 전지 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 태양 전지는, 제1 에너지 준위를 갖는 제1 질화물 반도체 층, 제2 에너지 준위를 갖는 제2 질화물 반도체 층, 제1 질화물 반도체 층과 상기 제2 질화물 반도체 층 사이에 형성되고, 제1 에너지 준위 및 상기 제2 에너지 준위보다 높은 에너지 준위를 갖는 장벽층 및 장벽층과 제2 질화물 반도체 층 사이에 형성되고, 복수의 InxGa1-xN 박막 및 GaN 박막이 교번하여 적층된 활성층을 포함하고, 활성층은, 입사된 태양 광선에 정공 및 전자를 생성하고, 제1 질화물 반도체 층 또는 제2 질화물 반도체 층으로 정공 및 전자가 각각 이동하여 전기 에너지를 생성할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120027318 (2012.03.16)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1287443-0000 (2013.07.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정희 대한민국 대구 수성구
2 김동석 대한민국 대구광역시 동구
3 강희성 대한민국 대구 북구
4 원철호 대한민국 대구 달서구
5 장규일 대한민국 대구 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이현수 대한민국 서울특별시 마포구 백범로 ***(신공덕동) 메트로디오빌빌딩 ****호(이현수상표특허법률사무소)
2 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)
3 김태헌 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0215700-35
2 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0294643-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 에너지 준위를 갖는 제1 질화물 반도체 층;제2 에너지 준위를 갖는 제2 질화물 반도체 층;상기 제1 질화물 반도체 층과 상기 제2 질화물 반도체 층 사이에 형성되고, 상기 제1 에너지 준위 및 상기 제2 에너지 준위보다 큰 에너지 준위를 갖는 장벽층; 및상기 장벽층과 상기 제2 질화물 반도체 층 사이에 형성되고, 복수의 InxGa1-xN 박막 및 GaN 박막이 교번하여 적층된 활성층;을 포함하고,상기 활성층은, 입사된 태양 광선에 의해서 정공 및 전자를 생성하고, 상기 제1 질화물 반도체 층 또는 상기 제2 질화물 반도체 층으로 상기 정공 및 전자가 각각 이동하여 전기 에너지를 생성하는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층은, 상기 InxGa1-xN 박막이 0
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층은, 상기 InxGa1-xN 박막과 상기 GaN 박막을 구성하는 GaN에 대비되는 In의 조성비가 0
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 질화물 반도체 층은, P형 불순물로 도핑되고,상기 제2 질화물 반도체 층은, N형 불순물로 도핑되는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지
5 5
제1항에 있어서,상기 활성층은, 상기 복수의 InxGa1-xN 박막의 두께에 따라 에너지 준위 레벨이 조절되는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지
6 6
제5항에 있어서,상기 활성층은, 조절된 에너지 준위 레벨에 대응하는 소정의 파장 대역을 갖는 태양 광선이 입사된 경우에 전공(hole) 및 전자(electron)를 생성하는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지
7 7
질화물 태양 전지 제조 방법에 있어서,기판 상에 제1 에너지 준위를 갖는 질화물을 적층하여 제1 질화물 반도체 층을 성장하는 단계;상기 제1 질화물 반도체 층 상에, 복수의 InxGa1-xN 박막 및 GaN 박막층이 교번적으로 순차적으로 적층하여 활성층을 성장하는 단계;상기 활성층 상부에 상기 제1 에너지 준위보다 큰 에너지 준위를 갖는 재료를 적층하여 장벽층을 성장하는 단계; 및상기 장벽층 상에 상기 장벽층의 에너지 준위보다 낮은 제2 에너지 준위를 갖는 질화물을 적층하여 제2 질화물 반도체 층을 성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제1 질화물 반도체 층 또는 상기 제2 질화물 반도체 층을 식각하는 단계; 및상기 제1 질화물 반도체 층 및 상기 제2 질화물 반도체 층에 금속 컨택을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 태양 전지 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는 상기 InxGa1-xN 박막을 0
10 10
제7항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 InxGa1-xN 박막과 상기 GaN 박막을 구성하는 GaN에 대비되는 In의 조성비가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.