| 1 |
1
태양전지용 실리콘 기판(100),상기 기판(100)에 메탈 그리드를 이용한 RIE 공정으로 형성된 피라미드 형상의 텍스쳐링 구조층(200);상기 텍스쳐링 구조층(200)에 플라즈마 도핑에 의해 형성된 초박형 에미터 접합층(300)(USE);상기 초박형 에미터 접합층(300)(USE)에 투명전극막(400);상기 기판(100) 후면에 형성된 후면전극(600); 및상기 투명전극막(400) 일부에 형성된 전면전극(500)을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 실리콘 기판(100)은, P 형 단결정 실리콘 기판(100)인 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 초박형 에미터 접합층(300)(USE)은,N 형 에미터 접합층인 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 텍스쳐링 구조의 깊이는 500nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지
|
| 6 |
6
(a) 태양전지용 실리콘 기판(100) 표면에 메탈 그리드(metal grid)를 사용하여 RIE 공정으로 피라미드 형상의 텍스쳐링 구조를 형성하는 단계;(b) 상기 텍스쳐링 구조에 초박형 에미터 접합층(300)(USE)을 형성하는 단계;(c) 상기 기판(100) 후면에 후면전극(600)을 형성하는 단계;(d) 상기 USE 층에 투명전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 투명전극 일부에 전면전극(500)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 텍스쳐링 구조의 깊이는 500nm 내지 1㎛인 것을 특징으로 하는 피라미드 구조의 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 RIE 공정은,SF6와 O2의 가스 비율이 1:1인 반응가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 10 |
10
제6항에 있어서,상기 실리콘 기판(100)을 P 형 단결정 실리콘 기판(100)으로 사용하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 초박형 에미터 접합층(300)(USE)을 N 형 에미터 접합 층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 12 |
12
제6항에 있어서,상기 (b) 단계는,플라즈마 이온주입(Plasma doping)법 또는 프리디포지션에 의한 열 확산법(thermal diffusion)에 의해 초박형 에미터 접합층(300)(USE)을 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 열 확산법에 의해 형성된 초박형 에미터 접합층(300)(USE)은,POCL3 또는 H3PO4의 소스가스를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙실리콘 태양전지 제조방법
|
