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제1 유전 상수를 갖는 초박형 고분자가 화학기상증착법 또는 개시제를 이용한 화학기상증착법을 이용하여 증착되는 제1 고분자 절연층; 제1 유전 상수보다 낮은 제2 유전상수를 갖는 초박형 고분자가 화학기상증착법 또는 개시제를 이용한 화학기상증착법을 이용하여 증착되는 제2 고분자 절연층; 및 제1 고분자 절연층과 제2 고분자 절연층 사이에 삽입된 전도층을 포함하고, 제1 고분자 절연층, 제2 고분자 절연층 및 전도층을 포함하는 삼층 구조를 트랜지스터의 게이트 절연층으로 사용하고, 제1 고분자 절연층, 제2 고분자 절연층 및 전도층이 각각 블로킹 절연층, 터널링 절연층 및 플로팅 게이트의 역할을 수행하고, 내부전극에 주입된 캐리어의 전하량에 따른 트랜지스터의 채널 전류와 게이트 전압 특성의 전압이동에 의한 트랜지스터 특성의 상태 차이가 전류크기의 차이로 나타남으로써 고유연 EPROM(erasable programmable read only memory) 또는 플래쉬메모리(flash memory)로 사용 가능하고, 고유연 IC(Integrated Circuit)에 적용 가능한 비휘발성메모리
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제1항에 있어서,제1 고분자 절연층, 제2 고분자 절연층 및 전도층을 포함하는 삼층 구조를 게이트 절연층으로 사용하는 트렌지스터의 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극 사이에 임계값 이상의 전압을 인가하면, 상기 제1 고분자 절연층 및 상기 제2 고분자 절연층을 통과해 터널링 전류가 흐르고, 유전상수가 낮은 제2 고분자 절연층에 제1 고분자 절연층보다 높은 전계가 걸림에 따라 제2 고분자 절연층에 제1 고분자 절연층보다 높은 전류가 흐르고, 상기 전류를 통해 상기 두 고분자 절연층 사이의 내부 전도층에 축적되는 전하량을 조절함으로써 데이터의 프로그래밍과 이레이징이 가능한비휘발성메모리
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제2항에 있어서, 상기 전압 인가를 중지하거나 또는 임계값 이하의 전압이 인가될 경우, 상기 제2 고분자 절연층 및 상기 제1 고분자 절연층에 임계값 이상의 전압이 인가됨으로써 조절된 상기 내부 전도층의 전하량이 보존되어 데이터가 유지되는 비휘발성메모리
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제1항에 있어서,상기 제1 고분자 절연층 및 제2 고분자 절연층과 함께, 제1 고분자 절연층과 제2 고분자 절연층 사이의 내부 전도층으로 금속 또는 유기물 전도체를 사용함으로써 고유연성을 갖는비휘발성메모리
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제1항에 있어서,제1 고분자 절연층, 제2 고분자 절연층 및 전도층을 포함하는 삼층 구조를 게이트 절연층으로 사용하는 트렌지스터의 소스, 드레인, 게이트 전극 및 채널에 해당하는 외부전극 및 반도체층을 제작함에 있어, 금속 또는 전도성 유기물로 구성된 전극과 유기물 반도체층을 사용함으로써 고유연성을 갖는비휘발성메모리
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