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제1 전극(140), 간극(G)을 형성하도록 상기 제1 전극(140)과 소정 거리 이격되는 제2 전극(160), 및 상기 간극(G)과 연통하는 개구(117)를 형성하도록 상기 제1 전극(140)의 일부와 상기 제2 전극(160)의 일부를 커버하는 유기 절연층(180)을 포함하는 측정 단위부(110)를 하나 이상 포함하는 센서(100); 및상기 제1 전극(140)과 상기 제2 전극(160) 사이에 기 설정된 전압을 인가하는 전원 인가부(220), 상기 센서(100)에 투입되는 적어도 2개의 측정 대상 샘플의 임피던스(Z)를 각각 측정하는 임피던스 측정부(230), 및 상기 임피던스 측정부(230)에 의해 측정된 임피던스(Z)에 기초하여 기 설정된 방법에 의해 임피던스 변화율(△Z)을 연산하는 연산부(240)를 포함하는 제어 장치(200);를 포함하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 제1 전극(140) 사이와 상기 제2 전극(160) 사이의 간극(G)은 1μm 이하인,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제1항에 있어서,상기 간극(G)에 놓여지는 측정 대상 물질은,마이크로 비드(b) 및 상기 마이크로 비드(b)에 결합되는 제1 항체(10)를 포함하는 제1 결합체(S1);상기 마이크로 비드(b), 상기 마이크로 비드(b)에 결합되는 제1 항체(10) 및 상기 제1 항체(10)에 결합되는 타겟 단백질(20)을 포함하는 제2 결합체(S2); 및상기 마이크로 비드(b), 상기 마이크로 비드(b)에 결합되는 상기 제1 항체(10), 상기 제1 항체(10)에 결합되는 상기 타겟 단백질(20) 및 상기 타겟 단백질(20)의 제1 변형 부위에 결합되는 제2 항체(30)를 포함하는 제3 결합체(S3);를 포함하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제3항에 있어서,상기 간극(G)에 놓여지는 측정 대상 물질은,상기 마이크로 비드(b), 상기 마이크로 비드(b)에 결합되는 상기 제1 항체(10), 상기 제1 항체(10)에 결합되는 상기 타겟 단백질(20) 및 상기 타겟 단백질(20)의 제2 변형 부위에 결합되는 제3 항체(40)를 포함하는 제4 결합체(S4);를 더 포함하며,상기 타겟 단백질(20)의 상기 제1 변형 부위의 양과 상기 제2 변형 부위의 양은 서로 반비례하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 간극(G)에 놓여지는 물질의 임피던스(Z)는,상기 마이크로 비드(b)에 결합된 물질의 양과 종류가 증가할수록 감소하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제3항에 있어서,상기 센서(100)에 상기 제2 결합체(S2)를 포함하는 제1 샘플이 투입되었을 때 측정되는 임피던스를 Z1,상기 센서(100)에 상기 제3 결합체(S3)를 포함하는 제2 샘플이 투입되었을 때 측정되는 임피던스를 Z2이라 할 때,상기 연산부(240)에 의해 연산되는 임피던스 변화율(△Z)은 Z1-Z2/Z1으로 연산되는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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7
제4항에 있어서,상기 센서(100)에 상기 제2 결합체(S2)를 포함하는 제1 샘플이 투입되었을 때 측정되는 임피던스를 Z1,상기 센서(100)에 상기 제3 결합체(S3)를 포함하는 제2 샘플이 투입되었을 때 측정되는 임피던스를 Z2,상기 센서(100)에 상기 제4 결합체(S4)를 포함하는 제3 샘플이 투입되었을 때 측정되는 임피던스를 Z3이라 할 때,상기 연산부(240)에 의해 연산되는 임피던스 변화율(△Z)은 Z1-Z2/Z1-Z3으로 연산되는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 제어 장치(200)는, 상기 연산부(240)에 의해 연산되는 임피던스 변화율(△Z)을 저장하는 데이터베이스(250)를 더 포함하며,상기 연산부(240)는 제1 시점에서 연산된 임피던스 변화율(△Z1)과 상기 제1 시점 이후의 제2 시점에서 연산된 임피던스 변화율(△Z2)을 비교함으로써, 비교 결과 데이터를 더 연산하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 마이크로 비드(b)는 자성 비드이고,상기 자성 비드가 상기 개구(117)를 통해 상기 간극(G)에 놓여지도록 안내하는 자성체(300)를 더 포함하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 타겟 단백질(20)은 타우(tau) 단백질인,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제10항에 있어서,상기 타겟 단백질(20)의 상기 제1 변형 부위는 인산화(phosphorylation)된 부분을 포함하고, 상기 제2 변형 부위는 0-글리코실화(O-glycosylation)된 부분을 포함하는,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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제11항에 있어서,상기 제2 항체(30)는 상기 타겟 단백질(20)의 상기 인산화된 부분에 결합하는 항체이고,상기 제3 항체(40)는 상기 타겟 단백질(20)의 상기 O-글리코실화된 부분에 결합하는 항체인,단백질 번역 후 변형 모니터링 시스템
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기판 상에 제1 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 금속층 위에 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 금속층을 식각하여, 제1 전극을 형성하고, 상기 제1 포토레지스트 패턴 하부에 언더컷을 형성하는 단계;상기 제1 금속층이 제거된 영역 및 상기 제1 포토레지스트 패턴 위에 제2 금속층을 형성하는 단계;상기 제1 포토레지스트 패턴 및 상기 제1 포토레지스트 패턴 위에 배치된 제2 금속층을 제거하는 단계;상기 제1 전극 및 잔류하는 제2 금속층 위에 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 잔류하는 제2 금속층을 식각하여, 상기 제1 전극과 소정 거리 이격된 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극의 일부와 상기 제2 전극의 일부를 커버하며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 간극 위에 개구를 형성하는 유기 절연층을 형성하는 단계;를 포함하는,나노 갭을 갖는 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 금속층은,상기 기판 위에 배치된 무기 절연층 위에 형성되는,나노 갭을 갖는 센서의 제조 방법
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제13항에 있어서,상기 제1 전극 사이와 상기 제2 전극 사이의 간극은 1μm 이하인,나노 갭을 갖는 센서의 제조 방법
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