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기판 상에 형성된 그래핀 층;상기 그래핀 층에 형성된 2 차원 절연층; 및상기 2 차원 절연층 상에 형성된 제 1 전극;을 포함하고, 상기 2 차원 절연층의 절연 내력(dielectric strength)은 5 MV/cm 이상이고,상기 2 차원 절연층의 두께는 10 nm 내지 30 nm 이고, 전압이 가해지더라도 상기 제 1 전극으로부터 형성되는 필라멘트가 상기 그래핀층의 표면 장력에 의해 끊어지기 때문에 상기 그래핀 층 상에 접촉되지 않고, 전류점멸비(on/off ratio)가 1010 이상인 것인,선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 2 차원 절연층은, 육방정 보론 나이트라이드(hBN), 전이금속 칼코겐화합물, Ca(OH)2, Mg(OH)2, SiO2, HfO2, Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 2 차원 절연층은 2 차원 hBN 물질이 적층되어 형성된 것인, 선택 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 전이금속 칼코겐 화합물은, MoS2, MnO2, MoO3, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 층은 두께가 10 nm 이하인 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 층은 그래핀, 그래핀 옥사이드, 환원된 그래핀 옥사이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 금, 은, 백금, 티타늄, 니켈, 철, 코발트, 구리, 크롬, 알루미늄, 팔라듐 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 형성된 산화물 절연층을 추가 포함하는 것인, 선택 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 층에 형성된 제 2 전극을 포함하는 것인, 선택 소자
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제 13 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 금, 은, 백금, 티타늄, 니켈, 철, 코발트, 구리, 크롬, 알루미늄, 팔라듐 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 선택 소자
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제 1 항, 제 3 항 내지 제 7 항, 제 9 항 내지 제 11 항, 제 13 항, 및 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 선택 소자를 포함하는, 저항 메모리 소자
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