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금속 전구체 및 수산화 이온을 함유하는 용액 상에 기판을 함침하는 단계; 및상기 용액 상에 전압을 인가하여 상기 기판 상에 금속 산화물을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 용액은 계면활성제를 포함하며, 상기 계면활성제의 종류에 따라 상기 금속 산화물의 결정의 성장 방향이 조절되는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 계면활성제는 상기 용액의 pH 농도 및 상기 인가되는 전압의 크기에 따라 상기 수산화 이온을 공급(supply)하거나 또는 소모(consumption)하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 용액의 pH 는 7 초과인 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 계면활성제는 Sb, Pb, Ni, Cr, Co, Mn, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 계면활성제는 2 종 이상의 금속을 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 계면활성제는 Sb, Ni, 또는 Cr 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 제 1 계면활성제 및 Pb, Co, 또는 Mn 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 제 2 계면활성제를 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 비정질 금속 산화물을 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 계면활성제의 농도는 1 mM 내지 5 mM 인 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 계면활성제는 2 종 이상의 금속을 동일한 농도로서 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물은 Cu, Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, 및 이들의 조합들로 이루어진 금속을 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 용액은 H2O 및 pH 조절제를 포함하는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 인가되는 전압은 -0
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 ITO, FTO, 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전압은 Pt, Au, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 전도성 고분자, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전극을 통해 인가되는 것인, 산화물 반도체의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 산화물 반도체를 포함하는,산화물 반도체
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