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제1 전극;상기 제1 전극 상에 제공되는 절연층;상기 제1 전극과 마주하는 형태로 제공되며, 상기 절연층과 이격되어 제공되는 제2 전극;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격된 형태로 상기 절연층 상에 제공되며, 상기 제1 전극과 인접한 제1 면 및 상기 제2 전극과 인접한 제2 면을 갖는 부유 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 연결하는 전원부를 포함하고,상기 전원부는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 서로 상반되는 극성의 전하를 교번적으로 반복하여 인가하고,상기 부유 전극의 상기 제1 면은 상기 제2 전극과 동일한 극성을 띠고, 상기 부유 전극의 상기 제2 면은 상기 제1 전극과 동일한 극성을 띠고, 상기 부유 전극의 상기 제1 면과 상기 부유 전극의 상기 제2 면의 전하 변화를 이용하여 입자를 포집하는, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 부유 전극의 평면 상의 넓이는 상기 제1 전극의 평면 상의 넓이보다 작은, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 부유 전극은 복수 개 제공되며,복수 개의 상기 부유 전극은 상기 절연층 상에 서로 이격되어 제공되는, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 절연층은 10nm 내지 1μm의 두께를 갖는, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 전원부는 교류 전원인, 입자 포집 장치
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제1항에 있어서,상기 부유 전극 및 상기 제1 전극 중 적어도 하나는 복수 개의 층을 포함하고,상기 복수 개의 층 중 적어도 하나는 구리(copper), 금(gold), 은(silver), 백금(platinum) 및 팔라듐(palladium)으로 구성된 군으로부터 선택되는 금속; 구리, 금, 은, 백금 및 팔라듐으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속과 그라파이트, 텔루륨(tellurium), 텅스텐(tungsten), 아연(zinc), 이리듐(iridium), 루테늄(rithenium), 비소(arsenic), 인(phosphorus), 알루미늄(aluminum), 망간(manganese), 실리콘(silicon)으로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 물질을 함유하는 합금(alloys) 또는 복합체; 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene) 및 이들의 유도체로 구성된 군으로부터 선택되는 전도성 탄소물질; 또는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide; ITO), 티타늄 산화물(TiO2), 루테늄 산화물(RuO2), 이리듐 산화물(IrO2), 및 백금 산화물(PtO2)로 구성된 군으로부터 선택되는 혼합 금속 산화물(mixed metal oxides)의 소재를 포함하는, 입자 포집 장치
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제1 전극 및 상기 제1 전극과 이격되어 제공되는 제2 전극에 교류 전원을 이용하여 서로 다른 극성의 전하를 교번적으로 반복하여 인가하는 제1 단계;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 이격되어 제공되는 부유 전극의 제1 면과 상기 제1 면의 반대편에 제공되는 상기 부유 전극의 제2 면에 서로 다른 극성의 전하를 교번적으로 반복하여 유도하는 제2 단계; 및상기 부유 전극의 상기 제1 면 및 상기 제2 면에 교번적으로 반복되어 유도되는 서로 다른 극성의 전하를 이용하여 상기 부유 전극을 중심으로 불균일 전기장을 인가하고, 상기 불균일 전기장을 이용하여 입자를 상기 부유 전극에 포집하는 제3 단계를 포함하는, 입자 포집 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 부유 전극 사이에 제공되는 절연층을 더 포함하여, 상기 제1 전극과 상기 부유 전극이 접촉하는 것을 방지하는, 입자 포집 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 각각에 인가되는 전하는 10 MHz 내지 1 kHz 속도로 교번적으로 변화하는, 입자 포집 방법
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제7항에 있어서,상기 교류 전원은 40V 이내의 전원인, 입자 포집 방법
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제7항에 있어서,상기 부유 전극에 포집된 상기 입자에 대하여 라만 스펙트럼 분석을 수행하는 단계를 더 포함하는, 입자 포집 방법
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제7항에 있어서,상기 부유 전극에 포집된 상기 입자에 의한 전기 전도도 변화를 감지하는 단계를 더 포함하는, 입자 포집 방법
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