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유연한 기판,상기 유연한 기판 위에 위치하고, 볼록부와 오목부를 포함하는 갭 필링(Gab filling)층,상기 갭 필링층 위에 위치하고, 상기 볼록부와 상기 오목부를 따라 위치하는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하고, 상기 오목부를 따라 위치하는 도전형 반도체층,상기 도전형 반도체층 위에 위치하고, 상기 오목부에 위치하는 활성층,상기 활성층 위에 위치하고, 상기 오목부에 위치하는 도전형 코어 구조물,상기 제1 전극 위에 위치하고, 상기 도전형 반도체층의 측면과 연결되는 고분자 보호층,상기 고분자 보호층 위에 위치하고, 상기 도전형 코어 구조물의 측면과 연결되고, 관통홀을 포함하는 마스크층, 그리고상기 마스크층 위에 위치하는 제2 전극을 포함하고,상기 도전형 코어 구조물의 하단부는 상기 오목부 안에 위치하면서 상기 볼록부의 최상면보다 아래에 위치하고,상기 제2 전극은 상기 도전형 코어 구조물의 단부의 테두리에 위치하고,상기 제1 전극에서 주입된 정공과 상기 제2 전극의 테두리에서 주입된 전자의 결합을 통해 발생된 빛을 가두어 증폭시키는 유연한 발광 소자
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제1항에서,상기 마스크층과 상기 도전형 코어 구조물 위에 위치하는 그래핀층을 더 포함하는 유연한 발광 소자
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제3항에서,상기 제2 전극은 그래핀층 위에 메쉬(mesh) 형태로 위치하는 유연한 발광 소자
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제1항에서,상기 갭 필링층의 상기 볼록부의 두께는 상기 갭 필링층의 상기 오목부의 두께보다 두꺼운 유연한 발광 소자
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제1항에서,상기 갭 필링층은 폴리메타크릴산 메틸(polymethylmethacrylate, PMMA), 폴리이미드(Polyimide, PI) 또는 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS)을 포함하는 유연한 발광 소자
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지지 기판을 제공하는 단계,상기 지지 기판 위에 그래핀층을 제공하는 단계,상기 그래핀층 위에 관통홀을 포함하는 마스크층을 제공하는 단계,상기 관통홀에 위치하는 도전형 코어 구조물을 제공하는 단계,상기 도전형 코어 구조물을 따라 위치하는 활성층을 제공하는 단계,상기 활성층을 따라 위치하는 도전형 반도체층을 제공하는 단계,상기 마스크층 위에 위치하는 고분자 보호층을 제공하는 단계,상기 고분자 보호층과 상기 도전형 반도체층을 따라 위치하는 제1 전극을 제공하는 단계,상기 제1 전극 위에 위치하는 갭 필링층(Gab filling)을 제공하는 단계,상기 갭 필링층에 유연한 기판을 제공하는 단계, 그리고상기 지지 기판을 제거하는 단계를 포함하고상기 갭 필링층에 유연한 기판을 제공하는 단계는상기 지지 기판을 뒤집는 단계, 그리고상기 갭 필링층이 상기 유연한 기판 위에 위치하도록 전사하는 단계를 포함하고,상기 지지 기판을 제거하는 단계는상기 도전형 코어 구조물의 단부의 테두리 위에 위치하는 제2 전극을 제공하는 단계를 포함하고,상기 갭 필링층은 볼록부와 오목부를 포함하고, 상기 도전형 코어 구조물의 하단부는 상기 오목부 안에 위치하면서 상기 볼록부의 최상면보다 아래에 위치하고,상기 제1 전극에서 주입된 정공과 상기 제2 전극의 테두리에서 주입된 전자의 결합을 통해 발생된 빛을 가두어 증폭시키는 유연한 발광 소자의 제조 방법
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제7항에서,상기 지지 기판을 제거하는 단계는상기 그래핀층을 제거하는 단계를 포함하는 유연한 발광 소자의 제조 방법
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제9항에서,상기 그래핀층을 제거하는 단계는 화학적 기계 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP) 단계를 포함하는 유연한 발광 소자의 제조 방법
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제7항에서,상기 지지 기판을 제거하는 단계는상기 그래핀층 위에 메쉬(mesh) 형태로 제2 전극을 제공하는 단계를 포함하는 유연한 발광 소자의 제조 방법
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