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탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자,평판형 램프 및 화학센서 감지막

  • 기술번호 : KST2014003551
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막 및 이를 이용한 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학센서 감지막에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 탄소나노튜브 후막 제조시 스크린 인쇄법이나 잉크젯 인쇄법을 사용하고 전기장을 사용하여 표면처리를 하므로 탄소나노튜브의 손상이나 불순물 혼입을 효율적으로 방지할 수 있고 탄소나노튜브 제작 비용을 절감시킬 수 있으며 이와 같이 제작된 탄소나노튜브 후막을 전계방출형 표시소자, 평판형 램프 및 화학 센서 감지막으로 이용하는 경우 성능이 우수한 제품을 생산할 수 있다. 탄소나노튜브페이스트, 수직배향 탄소나노튜브 후막, 전계방출형 표시소자, 평판형 램프, 화학 센서 감지막.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC C01B 32/158(2013.01) C01B 32/158(2013.01) C01B 32/158(2013.01) C01B 32/158(2013.01) C01B 32/158(2013.01)
출원번호/일자 1020040101279 (2004.12.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0620075-0000 (2006.08.28)
공개번호/일자 10-2006-0062437 (2006.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.03)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 이현재 대한민국 충북 보은군
3 이양두 대한민국 서울 관악구
4 문승일 대한민국 경기 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0571276-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018013-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0187786-98
5 의견서
Written Opinion
2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0386422-16
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0386423-51
7 등록결정서
Decision to grant
2006.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0472666-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
2 2
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 유기 결합제, 유기 용매, 충전제 및 분산제로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
3 3
제2항에 있어서, 상기 유기 결합제는 에틸셀룰로오스, 나이트레이트 또는 아크릴 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나, 상기 유기 용매는 터피네올 또는 부틸 카르비톨 아세테이트, 상기 충전제는 글래스 플릿 또는 은 분말이며 상기 분산제는 상용제품인 테고 사의 포멕스 810인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기물을 제거하는 제3공정은 100-150℃의 온도에서 유기 용매를 제거한 후, 350-450℃의 온도에서 질소와 아르곤 분위기 하에 소성시켜 유기 바인더를 제거하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 또는 세라믹 기판 중 어느 하나이며 전극은 ITO, Au, Ag, Pt, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
6 6
제1항에 있어서, 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정은 2 내지 4 V/㎛의 전기장을 5 내지 15초 동안 가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
7 7
제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)을 포함하는 캐소드부(20), 애노드 기판(6) 상에 애노드 전극(4)이 형성되고 그 위에 형광체막(5)이 도포되어 이루어진 상기 캐소드부(20)와 평행하게 배치되어 있는 애노드부(30) 및 상기 애노드 기판(6)과 캐소드 기판(1) 사이에 고진공 상태를 유지하면서 350~450℃로 열처리하여 밀봉하는 방식으로 탑재된 스페이서(7)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 캐소드부(20)와 상기 애노드부(30) 사이에 게이트 전극(8)이 평행하게 삽입되어 삼극형으로 제작되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자
9 9
제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)을 포함하는 캐소드부(20), 애노드 기판(6) 상에 애노드 전극(4)이 형성되고 그 위에 형광체막(5)이 도포되어 이루어진 상기 캐소드부(20)와 평행하게 배치되어 있는 애노드부(30) 및 상기 애노드 기판(6)과 캐소드 기판(1) 사이에 고진공 상태를 유지하면서 350~450℃로 열처리하여 밀봉하는 방식으로 탑재된 스페이서(7)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판형 램프
10 10
제9항에 있어서, 상기 캐소드부(20)와 상기 애노드부(30) 사이에 게이트 전극(8)이 평행하게 삽입되어 삼극형으로 제작되는 것을 특징으로 하는 평판형 램프
11 11
제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)과 전극(2) 사이에 절연막(9)을 삽입하고 상기 탄소나노튜브 후막(3)과 외부 전극 사이(2)에 금속 와이어(10)를 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
12 12
제11항에 있어서, 상기 금속 와이어(10)는 Au, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
13 12
제11항에 있어서, 상기 금속 와이어(10)는 Au, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.