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탄소나노튜브 페이스트를 제작하는 제1공정, 상기 제작된 탄소나노튜브 페이스트를 기판의 전극 상에 스크린 인쇄법 또는 잉크젯 인쇄법을 사용하여 후막을 형성시키는 제2공정, 상기 탄소나노튜브 후막에서 유기물을 제거시키는 제3공정, 상기 유기물이 제거된 탄소나노튜브 후막에 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 유기 결합제, 유기 용매, 충전제 및 분산제로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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제2항에 있어서, 상기 유기 결합제는 에틸셀룰로오스, 나이트레이트 또는 아크릴 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나, 상기 유기 용매는 터피네올 또는 부틸 카르비톨 아세테이트, 상기 충전제는 글래스 플릿 또는 은 분말이며 상기 분산제는 상용제품인 테고 사의 포멕스 810인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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제1항에 있어서, 상기 유기물을 제거하는 제3공정은 100-150℃의 온도에서 유기 용매를 제거한 후, 350-450℃의 온도에서 질소와 아르곤 분위기 하에 소성시켜 유기 바인더를 제거하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 실리콘 기판 또는 세라믹 기판 중 어느 하나이며 전극은 ITO, Au, Ag, Pt, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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제1항에 있어서, 전기장을 적용하여 탄소나노튜브를 수직배향시키는 제4공정은 2 내지 4 V/㎛의 전기장을 5 내지 15초 동안 가하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 후막
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7
제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)을 포함하는 캐소드부(20), 애노드 기판(6) 상에 애노드 전극(4)이 형성되고 그 위에 형광체막(5)이 도포되어 이루어진 상기 캐소드부(20)와 평행하게 배치되어 있는 애노드부(30) 및 상기 애노드 기판(6)과 캐소드 기판(1) 사이에 고진공 상태를 유지하면서 350~450℃로 열처리하여 밀봉하는 방식으로 탑재된 스페이서(7)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자
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제7항에 있어서, 상기 캐소드부(20)와 상기 애노드부(30) 사이에 게이트 전극(8)이 평행하게 삽입되어 삼극형으로 제작되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 표시소자
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제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)을 포함하는 캐소드부(20), 애노드 기판(6) 상에 애노드 전극(4)이 형성되고 그 위에 형광체막(5)이 도포되어 이루어진 상기 캐소드부(20)와 평행하게 배치되어 있는 애노드부(30) 및 상기 애노드 기판(6)과 캐소드 기판(1) 사이에 고진공 상태를 유지하면서 350~450℃로 열처리하여 밀봉하는 방식으로 탑재된 스페이서(7)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판형 램프
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제9항에 있어서, 상기 캐소드부(20)와 상기 애노드부(30) 사이에 게이트 전극(8)이 평행하게 삽입되어 삼극형으로 제작되는 것을 특징으로 하는 평판형 램프
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11
제1항 내지 제6항 중의 어느 하나의 항에 의한 탄소나노튜브 후막(3)과 전극(2) 사이에 절연막(9)을 삽입하고 상기 탄소나노튜브 후막(3)과 외부 전극 사이(2)에 금속 와이어(10)를 연결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
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제11항에 있어서, 상기 금속 와이어(10)는 Au, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
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제11항에 있어서, 상기 금속 와이어(10)는 Au, Cu 또는 Al로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 센서 감지막
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