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금속 배선을 이용하여 자기정렬된 패턴 구조를 갖는 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014008911
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 소자의 제조 방법은, 기판 상에 형성된 절연막 상에 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선을 식각 마스크로 하여 상기 절연막을 식각함으로써, 상기 금속 배선에 의해 오픈된 영역에서 상기 절연막에 패턴 구조를 형성하는 단계; 를 포함한다. 반도체, 금속 배선
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1020090018122 (2009.03.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1065246-0000 (2011.09.08)
공개번호/일자 10-2010-0099567 (2010.09.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110919) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
2 이용언 대한민국 서울특별시 서대문구
3 김창은 대한민국 서울특별시 서대문구
4 윤일구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0131109-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074864-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0578845-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0115142-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0115141-65
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0486432-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 절연막 상에 금속 배선을 형성하는 단계; 및 상기 금속 배선을 식각 마스크로 하여 상기 절연막을 식각함으로써, 상기 금속 배선에 의해 오픈된 영역에서 상기 절연막에 패턴 구조를 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 절연막의 식각은 건식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 절연막에 패턴 구조를 형성하는 단계는, 상기 금속 배선을 식각 마스크로 하여 상기 절연막을 건식 식각함으로써, 상기 금속 배선에 의해 오픈된 영역에서 상기 절연막에 홈 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 홈 구조는 아래로 갈수록 좁아지는 경사진 구조(tapered structure)로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 홈 구조 형성 단계 후에 상기 홈 구조 내에 반도체 물질을 충진하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 기판은 상기 절연막 아래에 있는 반도체 영역을 포함하되, 상기 홈 구조는 상기 절연막을 관통하도록 형성되고, 상기 홈 구조 내에 충진된 반도체 물질은 상기 절연막 아래에 있는 반도체 영역과 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 홈 구조 내에 충진된 반도체는 SiGe이고, 상기 절연막 아래에 배치된 반도체 영역은 Si인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 홈 구조 내에 충진된 반도체 물질은 광 다이오드의 활성 영역에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 홈 구조 형성 단계와 상기 반도체 물질의 충진 단계 사이에, 상기 홈 구조 바닥 아래의 반도체 부분에 불순물로 도핑된 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 시스템집적반도체기술개발 3D INTEGRATION을 이용한 차세대 이미지센서 개발