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반도체 소자의 보호막에 있어서,
상기 보호막이 기판으로부터 친수성 박막과 소수성 박막이 순차적으로 적층된 다층 박막인 반도체 소자 보호막
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제1항에 있어서,
상기 다층 박막의 친수성 박막 및 소수성 박막 각각은 Al, Si, Zr, Ta, La, Mg, 또는 Ti를 포함하는 산화물을 포함하고, 상기 산화물의 친수화도에 따라 친수성 박막 또는 소수성 박막으로 적용하는 것인 반도체 소자 보호막
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제1항에 있어서,
상기 다층 박막은 친수성 박막과 소수성 박막이 Al2O3/TiO2, Al2O3/TaO2, TaO2/TiO2, Al2O3/La2O3, 또는 La2O3/TiO2 인 것인 반도체 소자 보호막
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제1항에 있어서,
상기 친수성 박막은 두께가 2 내지 100 nm이고, 소수성 박막은 두께가 2 내지 100 nm인 것인 반도체 소자 보호막
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a) 기판 표면에 금속 리간드를 포함하는 전구체 소스를 흡착시키는 단계;
b) 흡착되지 않은 전구체 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계;
c) 산소를 포함하는 소스와 플라즈마를 주입하여 상기 전구체 소스 내 금속과 반응시켜 반도체 소자의 표면에 원자층을 형성하는 단계; 및
d) 상기 원자층을 형성하지 않은 잔류 전구체 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계를 수행하고,
이때 전구체 소스로 친수성 전구체를 이용하여 a)∼d)의 단계를 1 사이클로 수행하되, 적어도 친수성 박막이 형성될 때까지 연속적으로 수행하는 A 단계와
소수성 전구체를 이용하여 a)∼d)의 단계를 1 사이클로 수행하되, 적어도 소수성 박막이 형성될 때까지 연속적으로 수행하는 B 단계를 순차적으로 수행하는
반도체 소자의 보호막 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 전구체 소스는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, 또는 Mg 중에서 선택된 1종을 포함하는 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염, 시트르산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 반도체 소자의 보호막 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 단계 a)는 상온 내지 250 ℃의 온도에서 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 단계 b) 및 d)의 불활성 가스는 Ar, N2 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 단계 c)의 산소를 포함하는 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, NH3, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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제5항에 있어서,
상기 단계 c)의 플라즈마는 50 W에서 500 W 범위에서 처리하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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