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금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법

  • 기술번호 : KST2014010148
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 칩을 유리기판에 실장하기 위한 금속복합범프 형성 시 전기적 특성이 우수한 금속 기지 내에 전도성 고분자를 첨가함으로써, 저가격으로 범프 형성이 가능하고 신뢰성 측면에서 우수한 특성을 나타내는 금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은 상기 반도체 칩 상에 고분자 입자가 혼합된 도금액을 이용하여 전기 도금 또는 무전해 도금으로 형성되며, 양극에는 금속이, 음극에는 반도체 칩이 위치하여 금속 내에 고분자 입자가 분포되도록 금속과 고분자 입자가 동시에 도금되는 것을 특징으로 하는 플립칩 패키징용 금속 복합 범프를 제공한다.금속, 범프, 고분자, 칩온글라스 실장, 플립 칩, 도금, 반도체 칩, 유리기판
Int. CL H01L 23/00 (2006.01.01)
CPC H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01) H01L 24/11(2013.01)
출원번호/일자 1020070108740 (2007.10.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1116167-0000 (2012.02.07)
공개번호/일자 10-2009-0043092 (2009.05.06) 문서열기
공고번호/일자 (20120306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.21)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영호 대한민국 서울특별시 송파구
2 김영민 대한민국 서울특별시 동작구
3 최동주 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임승섭 대한민국 서울특별시 종로구 율곡로*길 *(수송동, 로얄팰리스스위트) ***호(특허법인임앤정)
2 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0772741-09
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0026041-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0254737-03
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0254758-51
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0051187-28
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0349200-84
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0560211-89
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0560257-78
11 등록결정서
Decision to grant
2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0053558-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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반도체 칩을 유리 기판에 칩온글라스 실장하거나 회로 기판 또는 플랙시블 기판에 플립칩 실장하기 위한 금속 복합 범프 형성방법에 있어서, 고분자 입자가 혼합된 도금액을 형성하는 단계;상기 도금액 내의 양극에는 금속을 배치하고, 음극에는 상기 반도체 칩을 배치하는 단계; 및전기 도금 방법으로 상기 반도체 칩 상에 금속과 고분자 입자를 함께 도금하여, 금속 기지 내에 고분자 입자가 분산되어 있는 금속 복합 범프를 상기 반도체 칩 상에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합 범프 형성방법
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반도체 칩을 유리 기판에 칩온글라스 실장하거나 회로 기판 또는 플랙시블 기판에 플립칩 실장하기 위한 금속 복합 범프 형성방법에 있어서, 고분자 입자가 혼합된 도금액을 형성하는 단계;상기 도금액 내에 상기 반도체 칩을 배치하는 단계; 및무전해 도금 방법으로 상기 반도체 칩 상에 금속과 고분자 입자를 함께 도금하여, 금속 기지 내에 고분자 입자가 분산되어 있는 금속 복합 범프를 상기 반도체 칩 상에 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 복합 범프 형성방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 고분자 입자는 탄성중합체(elastomer)인 것을 특징으로 하는 금속 복합 범프 형성방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 고분자 입자는 표면에 금속이 코팅되어 있는 전도성 고분자구인 것을 특징으로 하는 금속 복합 범프 형성방법
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제12항 또는 제13항에 있어서,상기 금속 기지는 금(Au), 금 합금, 니켈(Ni), 니켈 합금, 구리(Cu), 구리 합금, 은(Ag), 은 합금, 백금(Pt), 백금 합금 및 솔더 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 복합 범프 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.