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ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진ZnS계 스퍼터링 타겟

  • 기술번호 : KST2015140955
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 ZnS계 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 ZnS 단독 또는 ZnS-SiO2 혼합 분말을 방전 플라즈마 소결 공정을 수행하여 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 이로써 얻어진 ZnS계 스퍼터링 타겟에 관한 것이다. 상기 제조된 스퍼터링 타겟은 99% 이상의 상대 밀도와 미세 결정립을 가지고, 기계적 특성이 우수할 뿐만 아니라 방전 플라즈마 소결 공정을 수행함에 따라 제조 공정 시간이 크게 단축되는 잇점이 있다. 스퍼터링 타겟, 방전 플라즈마 소결, 미세 결정립
Int. CL C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01)
CPC C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01)
출원번호/일자 1020070115539 (2007.11.13)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1021848-0000 (2011.03.07)
공개번호/일자 10-2009-0049321 (2009.05.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.13)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영도 대한민국 서울 송파구
2 김길수 대한민국 서울특별시 성동구
3 신대훈 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0813283-95
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0049412-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0438278-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0805761-44
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0805764-81
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0174883-42
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.06.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0027288-20
10 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2010.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0338782-31
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2010.09.06 수리 (Accepted) 7-8-2010-0026938-39
12 등록결정서
Decision to grant
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0121651-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ZnS 단독 또는 ZnS-SiO2 혼합 분말의 원료 분말을 습식 매질 하에 고에너지 볼밀링을 수행하는 단계, 이때 상기 고에너지 볼밀링은 볼과 원료 분말은 14:1∼18:1의 장입비(중량비)로 10∼20시간 동안 수행하고; 볼밀링된 분말을 방전 플라즈마 소결 장치에 주입하는 단계; 및 플라즈마 발생 하에서 700∼1200 ℃에서 30∼90 MPa의 압력을 가해 방전 플라즈마 소결 공정을 1∼10분 동안 수행하는 단계를 포함하는 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법
2 2
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3 3
제1항에 있어서, 상기 ZnS-SiO2 혼합분말은 각각 6:1∼2:1의 몰비로 혼합하는 것인 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 고에너지 볼밀링은 100∼500 rpm의 속도로 수행하는 것인 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 방전 플라즈마 소결은 ZnS 단독 또는 ZnS-SiO2 혼합 분말을 50∼150 ℃/min의 승온 속도로 승온시켜 수행하는 것인 ZnS계 스퍼터링 타겟의 제조방법
6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 한국생산기술연구원 정보저장매체 Sputtering Target 제조용 Eco-process 개발 전기적 특성과 광학 특성이 개선된 ZnS계 유전체 스퍼터타겟 개발