맞춤기술찾기

이전대상기술

고저항 서멧 저항체 및 이의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014027847
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고저항체로 사용할 수 있는 고저항 서멧 저항체 및 그 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체의 형성방법은, 고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체는 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질을 양극산화한 산화물을 기반으로 하여 양극산화에 안정한 안정금속 입자가 분산된 상태의 서멧으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 증착공정을 실시한 뒤에 양극산화공정을 실시하여 산소결핍의 문제를 방지함으로써, 뛰어난 열안정성 및 고주파특성을 갖는 고저항체를 제조할 수 있으며, 서멧을 직접 증착하지 않기 때문에 증착과정에서 옥사이드 타겟 또는 산소기체를 사용하지 않음으로써, 증착용 챔버의 오염을 막을 수 있는 효과가 있다. 양극산화, 애노다이징, 서멧, cermet, 저항
Int. CL H01C 10/32 (2006.01) H01C 1/012 (2006.01)
CPC H01C 10/32(2013.01) H01C 10/32(2013.01) H01C 10/32(2013.01) H01C 10/32(2013.01) H01C 10/32(2013.01)
출원번호/일자 1020090053852 (2009.06.17)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1044973-0000 (2011.06.22)
공개번호/일자 10-2010-0135469 (2010.12.27) 문서열기
공고번호/일자 (20110629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.17)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 임승규 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 나성훈 대한민국 경기도 부천시 원미구
4 김진수 대한민국 서울특별시 관악구
5 김종천 대한민국 서울특별시 서초구
6 김태성 대한민국 경기도 의왕시
7 주범석 대한민국 서울특별시 관악구
8 이광근 대한민국 강원도 원주시
9 장재권 대한민국 강원도 영월군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0366172-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.04.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0032007-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0349389-58
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0656067-38
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0037134-84
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0199706-08
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0199704-17
9 등록결정서
Decision to grant
2011.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0332414-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하며, 상기 혼합체가 상기 활성물질을 기반으로 하여 상기 안정금속 입자가 분산된 상태인 것을 특징으로 하는 고저항 서멧 저항체의 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 활성물질이 알루미늄, 탄탈륨, 티타늄 및 실리콘으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 고저항 서멧 저항체의 형성방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 안정금속이 백금, 금 및 은으로 구성되는 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 고저항 서멧 저항체의 형성방법
5 5
고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하며, 상기 혼합체를 형성하는 방법이 상기 활성물질의 타겟과 상기 안정금속의 타겟을 이용하여 동시에 스퍼터링하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고저항 서멧 저항체의 형성방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 활성물질과 상기 안정금속의 증착속도를 조절하여 상기 활성물질을 기반으로 하여 상기 안정금속 입자가 분산된 상태의 혼합체를 형성하는 것을 특징으로 하는 고저항 서멧 저항체의 형성방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.