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전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법 이를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048740
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판을 평탄화시키는 방법은 관통하는 홀이 형성된 기판에 씨드(seed)용 금속을 증착하여 상기 기판의 표면 및 상기 홀의 안쪽면 각각에 서로 연결된 제1 및 제2 씨드층들을 형성하는 단계, 상기 제1 씨드층을 음극에 연결한 상태로 제1 전해액에 담가 전해 도금을 실시하여 상기 제2 씨드층으로부터 상기 홀의 내부를 채우면서 성장하는 전극을 형성하는 단계, 상기 전극이 형성된 기판의 제1 씨드층을 양극에 연결한 상태로 제2 전해액에 담가 전해 연마를 실시 가능한 전기적인 연결이 분리되는 순간까지 실시하여 상기 전극 중 상기 홀의 외부로 돌출된 부분을 제거함으로써 상기 기판을 평탄화시키는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 21/304 (2006.01) H01L 21/3063 (2006.01)
CPC H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01) H01L 25/073(2013.01)
출원번호/일자 1020110072905 (2011.07.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1239430-0000 (2013.02.26)
공개번호/일자 10-2013-0011618 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서수정 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 김정태 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 장주희 대한민국 부산광역시 남구
4 손병택 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0567041-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.02 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0350494-02
4 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0053628-83
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.08 무효 (Invalidation) 1-1-2012-0365904-71
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0057003-51
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 보정요구서
Request for Amendment		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0067422-57
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0439109-58
10 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0069589-19
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047034-47
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0615985-47
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0942908-87
16 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0128397-55
17 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0280609-60
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
관통하는 홀이 형성된 기판에 씨드(seed)용 금속을 증착하여 상기 기판의 표면 및 상기 홀의 안쪽면 각각에 서로 연결된 제1 및 제2 씨드층들을 형성하는 단계;상기 제1 씨드층을 음극에 연결한 상태로 제1 전해액에 담가 전해 도금을 실시하여 상기 제2 씨드층으로부터 상기 홀의 내부를 채우면서 성장하는 전극을 형성하는 단계; 및상기 전극이 형성된 기판의 제1 씨드층을 양극에 연결한 상태로 제2 전해액에 담가 전해 연마를 실시 가능한 상기 제1 및 제2 씨드층들의 전기적인 연결이 분리되는 순간까지 실시하여 상기 전극 중 상기 홀의 외부로 돌출된 부분을 제거함으로써 상기 기판을 평탄화시키는 단계를 포함하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 씨드층들을 형성하기 이전에,상기 기판을 산화 처리하여 상기 기판의 표면과 상기 홀의 안쪽면에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전해 도금을 실시하는 단계 이전에, 상기 제1 씨드층 상에 절연 필름을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 씨드용 금속은 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 전해액과 상기 제2 전해액 각각의 양극과 음극에는 구리(Cu) 전극이 연결된 것을 특징으로 하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 전해 연마를 실시한 다음에, 연속적으로 제2 전해 연마를 실시하여 상기 제1 씨드층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 연마를 이용한 기판의 평탄화 방법
7 7
기판에 비아 홀을 형성하는 단계;상기 비아 홀에 전해 연마를 통하여 관통 전극을 형성하면서 상기 기판을 평탄화시키는 단계; 및 상기 기판의 상부 및 하부 각각에 상기 관통 전극을 통해 서로 전기적으로 연결되도록 상부 회로 패턴 및 하부 회로 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기판을 평탄화시키는 단계는,상기 기판에 씨드(seed)용 금속을 증착하여 상기 기판의 표면 및 상기 비아 홀의 안쪽면 각각에 서로 연결된 제1 및 제2 씨드층들을 형성하는 단계;상기 제1 씨드층을 음극에 연결한 상태로 제1 전해액에 담가 전해 도금을 실시하여 상기 제2 씨드층으로부터 상기 비아 홀의 내부를 채우면서 성장하는 상기 관통 전극을 형성하는 단계; 및상기 관통 전극이 형성된 기판의 제1 씨드층을 양극에 연결한 상태로 제2 전해액에 담가 전해 연마를 실시 가능한 상기 제1 및 제2 씨드층들의 전기적인 연결이 분리되는 순간까지 실시하여 상기 관통 전극 중 상기 비아 홀의 외부로 돌출된 부분을 제거함으로써 상기 기판을 평탄화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.