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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계(단계 1);상기 버퍼층 상에 n형 또는 p형 마이크로 크리스탈 실리콘 박막을 증착하는 단계(단계 2);상기 n형 또는 p형 마이크로 크리스탈 실리콘 박막을 패터닝하여 소스 전극 또는 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3);상기 소스 전극 또는 드레인 전극 상에 활성층을 형성하는 단계(단계 4);상기 활성층 상에 절연막과 금속 전극을 형성하는 단계(단계 5); 및상기 단계 4 및 단계 5를 거쳐 기판 상에 형성된 활성층, 절연막 및 금속 전극을 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 6)를 포함하며,상기 단계 2에서 n형 또는 p형 마이크로 크리스탈 실리콘 박막은 저온 화학기상증착 공정을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정의 온도는 200℃ 이하인 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정의 온도는 150∼180℃인 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 n형 저온 마이크로 크리스탈 실리콘 박막은 저온 화학기상증착 공정에서 SiH4 : H2 : PH3의 가스비가 1 : 170~200 : 0
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청구항 1에 있어서,상기 p형 저온 마이크로 크리스탈 실리콘 박막은 저온 화학기상증착 공정에서 SiH4 : H2 : B2H6의 가스비가 1 : 170~200 : 0
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청구항 1에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정은 0
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청구항 6에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정은 1∼2 Torr의 압력 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정은 25∼125W의 전력을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 저온 화학기상증착 공정은 50∼100W의 전력을 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 활성층은 다결정 실리콘 박막, 비정질 실리콘 박막 또는 마이크로결정질 실리콘 박막인 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에스터(PET), 폴리카보나이트(PC) 및 폴리설폰(PES)으로 이루어진 군으로부터 선택된 재질을 사용하여 제조된 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 저온 공정을 사용하는 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 실리콘 박막 트랜지스터
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