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박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015143666
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 초전기 센서 분야에 응용될 수 있도록 폴리비닐리덴플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌(P(VDF-TrFE))의 공중합체를 OTFT에 적용하여 초전기 게이트 유전체로서 활용하기 위해, 초전기 게이트 유전체 재료를 게이트 유전층으로서 유기 박막 트랜지스터 구조에 집적하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서를 제공한다. 또 본 발명에서는 기판 위에 전기도금에 의해 Ni 게이트 전극을 필름 위에 증착하는 단계; 상기 Ni 게이트 전극 위에 P(VDF-TrFE) 층을 도포하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층을 어닐링하여 용해한 뒤 재결정하여 결정성을 향상시키는 단계; 상기 유전층 위에 반도체 층, 소스 및 드레인 전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법이 제공된다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01)
출원번호/일자 1020110035172 (2011.04.15)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0061519 (2011.06.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0006033 (2011.01.20)
관련 출원번호 1020110006033
심사청구여부/일자 Y (2011.04.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기도 과천시
2 원 탄 티엔 베트남 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0279626-08
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0035504-74
3 공지예외적용무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation of Exclusion from Being Publically Known		 2011.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0048314-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0319827-42
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0475072-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서로서,게이트 유전층으로서 초전기 게이트 유전체 재료를 유기 박막 트랜지스터 구조에 집적하여 이루어지고,상기 초전기 게이트 유전체 재료는 결정화 및 폴링 공정 처리된 고결정성 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF) 기재 공중합체 또는 고결정성 초전기 나노입자-PVDF 기재 공중합체 복합재료이고,상기 폴리비닐리덴 플루오라이드 기재 공중합체는 P(VDF-TrFE), P(VDF-CTFE), P(VDF-CFE), P(VDF-HFP), P(VDF-CDFE), P(VDF-TrFE-CTFE), P(VDF-TrFE-CFE), P(VDF-TrFE-HFP), P(VDF-TrFE-CDFE), P(VDF-TFE-CTFE), P(VDF-TFE-CFE), P(VDF-TFE-HFP) 및 P(VDF-TFE-CDFE)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 PVDF 기재 공중합체가 P(VDF-TrFE)인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 초전기 나노입자가 PbTiO3, SrTiO3 및 (Ba,Sr)TiO3로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서
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