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다기능 유기 삽입층을 적용한 플렉시블 유기 반도체 소자제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144218
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉시블 전자 소자에 적용이 가능한 유기물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 유기물 기판위의 반도체 소자제작에서 유기물층 상에 다기능 유기 삽입층을 형성함으로써 소스-드레인 전극과 유기물층과의 낮은 접촉 저항과 기계적 유연성 확보하도록 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자 1020070030775 (2007.03.29)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0855449-0000 (2008.08.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.29)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기 과천시
2 설영국 대한민국 경북 경주시
3 배진영 대한민국 서울 송파구
4 박상호 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권형중 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)
2 이종승 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길** 에이동 ***호 (문정동, 현대지식산업센터)(리스비특허법률사무소)
3 김문재 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)(특허법인 남앤남)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0245741-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2007-0015278-18
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0077141-37
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0267986-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0267985-54
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0267984-19
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0427903-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 플렉시블한 유기물로 이루어진 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판에 대한 접착력을 예정된 레벨 이상으로 형성하기 위해 그 일면에 표면 처리하는 단계;(c) 상기 기판의 표면 처리된 면에 예정된 레벨 이상으로 접착하기 위한 접착층을 형성하는 단계;(d) 상기 접착층의 일면에 금속 게이트 전극의 도금성을 예정된 레벨 이상으로 하기 위한 씨드 레이어를 형성하는 단계;(e) 상기 씨드 레이어 위에 감광막을 형성하는 단계;(f) 상기 감광막을 미리 패턴이 형성된 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계;(g) 상기 감광막에 형성된 패턴에 금속 게이트 전극층을 형성하는 단계;(h) 상기 감광막을 제거하는 단계;(i) 상기 금속 게이트 전극층 외의 영역에 있는 상기 접착층 및 씨드 레이어를 제거하는 단계;(j) 상기 금속 게이트 전극층 일면에 유기물 절연체막을 형성하는 단계;(k) 상기 절연체층 일면에 유기물 반도체층을 형성하는 단계;(l) 상기 유기물 반도체층 일면에 소스-드레인 전극의 접착력 향상을 위하여 알킬 술파닐(alkyl sulfanyl) 치환기를 갖는 티오펜 모노머(thiophene monomer)를 산화 커플링 중합하거나, 알킬 술파닐(alkyl sulfanyl) 치환기를 갖는 할로겐화 티오펜 모노머를 환원 커플링 중합하여 제조되는 올리고티오펜(Oligo-thiophene)을 통해 다기능 유기물 삽입층을 형성하는 단계; 및(m) 상기 유기물 삽입층 일면에 기 설정된 패턴으로 소스-드레인 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 게이트 전극층은 도금 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 금속 게이트 전극층은 무전해 도금 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 다기능 유기물 삽입층은 액상 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 유기물 절연체는 가교가능한 PVP(poly-4-vinyl phenol)로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 유기물 삽입층은 진공 증착법 또는 솔루션 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 유기물 삽입층과 소스-드레인 전극층 형성시 동일한 패턴으로 금속 마스크를 이용하여 연속공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제 4항에 있어서, 상기 유기물 삽입층 형성 공정을 포함하는 유기 반도체 소자 제작 방법은 바닥 게이트(Bottom Gate)의 인버티드 코플래나(inverted coplanar) 구조의 유기 반도체 소자 제조에 이용되는 것을 특징으로 하는 유기물 반도체 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.