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박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027682
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 초전기 센서 분야에 응용될 수 있도록 폴리비닐리덴플루오라이드 및 트리플루오로에틸렌(P(VDF-TrFE))의 공중합체를 OTFT에 적용하여 초전기 게이트 유전체로서 활용하기 위해, 초전기 게이트 유전체 재료를 게이트 유전층으로서 유기 박막 트랜지스터 구조에 집적하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서를 제공한다. 또 본 발명에서는 기판 위에 전기도금에 의해 Ni 게이트 전극을 필름 위에 증착하는 단계; 상기 Ni 게이트 전극 위에 P(VDF-TrFE) 층을 도포하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층을 어닐링하여 용해한 뒤 재결정하여 결정성을 향상시키는 단계; 상기 유전층 위에 반도체 층, 소스 및 드레인 전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법이 제공된다. 폴리비닐리덴플루오라이드, 트리플루오로에틸렌, OTFT, 유기 박막 트랜지스터
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01)
출원번호/일자 1020080055448 (2008.06.12)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1021509-0000 (2011.03.04)
공개번호/일자 10-2009-0129270 (2009.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110006033;
심사청구여부/일자 Y (2008.06.12)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기도 과천시 별양로 ***
2 원 탄 티엔 베트남 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0421266-14
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0485240-16
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0493868-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0021741-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0235719-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0489682-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0489710-15
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0533946-07
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0052699-68
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.01.20 취하 (Withdrawal) 1-1-2011-0049094-24
12 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0101907-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
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기판 위에 전기도금에 의해 Ni 게이트 전극을 필름 위에 증착하는 단계; 상기 Ni 게이트 전극 위에 P(VDF-TrFE) 층을 도포하여 유전층을 형성하는 단계; 상기 유전층을 어닐링하여 용해한 뒤 재결정하여 결정성을 향상시키는 단계; 상기 유전층 위에 반도체 층, 소스 및 드레인 전극층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE)가 스핀 코팅에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE)가 디메틸포름아미드 용매에 10wt% 농도로 용해되어 도포되는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 기판의 재질이 폴리이미드인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 P(VDF-TrFE) 층의 두께가 400nm 이상인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 반도체층의 재질이 펜타센인 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제7항에 있어서, 소스/드레인 전극을 접지하고, 상기 게이트 전극에 음의 바이어스를 인가함으로써 폴링을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 80MV/cm의 폴링 전기장이 인가되는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 폴링이 연속적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제13항에 있어서, 상온에서 일정 온도까지 가열하고 이 온도에서 일정 시간 동안 유지한 뒤, 최종적으로 다시 상온까지 냉각시켜서 폴링을 함으로써 폴링 효과를 극대화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 가열이 80℃까지 이루어지고, 그 상태에서 2시간 동안 유지되는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터 내에 집적된 유기 초전기 센서 제조방법
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