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나노 와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027868
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 와이어의 제조방법을 개시한다. 상기 방법은 실리콘 기판을 진공 상태의 챔버 안에 제공하는 기판 제공단계, 상기 진공 상태의 챔버 안에 육플루오린화 황(SF6) 및 산소(O2)를 투입하고 상기 진공 상태의 챔버에 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계, 및 상기 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 기판을 식각함으로써 실리콘 나노 와이어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함한다. 나노, 와이어, 진공, 플라즈마, 식각
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0014(2013.01) B82B 3/0014(2013.01) B82B 3/0014(2013.01)
출원번호/일자 1020090016717 (2009.02.27)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1027315-0000 (2011.03.30)
공개번호/일자 10-2010-0097859 (2010.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20110406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유원종 미국 서울특별시 송파구
2 임영대 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 양챙 중국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0122435-99
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0142392-82
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065709-00
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525181-43
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0045594-58
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0045595-04
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0162820-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
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2 2
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3 3
실리콘 기판을 진공 상태의 챔버 안에 제공하는 기판 제공단계; 상기 진공 상태의 챔버 안에 육플루오린화 황(SF6) 및 산소(O2)를 투입하고 상기 진공 상태의 챔버에 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계; 및 상기 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 기판을 식각함으로써 실리콘 나노 와이어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함하고, 상기 챔버는 상기 육플루오린화 황(SF6) 및 산소(O2)로부터 플라즈마가 생성되는 플라즈마 생성부와 상기 실리콘 기판을 올려놓는 척부를 포함하며 상기 전원은 상기 플라즈마 생성부에 전원을 인가하는 제1전원 및 상기 척부에 전원을 인가하는 제2전원을 포함하는 것이며, 상기 제2전원은 5 내지 60 W 인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제2전원은 20 내지 40 W 인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어의 제조방법
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실리콘 기판을 진공 상태의 챔버 안에 제공하는 기판 제공단계; 상기 진공 상태의 챔버 안에 육플루오린화 황(SF6) 및 산소(O2)를 투입하고 상기 진공 상태의 챔버에 전원을 인가하여 플라즈마를 생성시키는 플라즈마 생성단계; 및 상기 플라즈마를 이용하여 상기 실리콘 기판을 식각함으로써 실리콘 나노 와이어를 형성하는 플라즈마 식각단계를 포함하고, 상기 실리콘 기판은 상온으로 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 상온은 상온의 질소가스 및 극저온의 액체 질소를 이용하여 유지되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노 와이어의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정부)산자-산업기술평가원-산업기술/핵심기술 성균관대학교산학협력단 성장동력기술개발사업 SiP 적용을 위한 deep via etching 공정 개발