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그라핀 시트를 포함하는 가요성 투명 전도층을 구비하는 유기전자 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014035704
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따르는 유기 전자 소자는 유기 기능층 및 상기 유기 기능층과 접하는 가요성 투명 전도층을 구비한다. 상기 가요성 투명 전도층은 n형 또는 p형의 특성을 가지는 그라핀 시트층을 포함한다.
Int. CL H01L 51/54 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01) H01L 51/0021(2013.01)
출원번호/일자 1020100035367 (2010.04.16)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1144588-0000 (2012.04.27)
공개번호/일자 10-2011-0115820 (2011.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.16)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울특별시 송파구
2 임종태 대한민국 서울특별시 관악구
3 권재욱 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0244295-34
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0197740-04
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0048447-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0490878-82
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0846875-04
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0951931-04
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951932-49
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0242104-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
유기 기능층 및 상기 유기 기능층과 접하는 가요성 투명 전도층을 구비하되,상기 가요성 투명 전도층은 n형 또는 p형의 특성을 가지는 그라핀 시트층을 포함하고,상기 가요성 투명 전도층은 상기 그라핀 시트층의 상기 n형 또는 p형의 특성을 위한 개질층을 포함하며, 상기 개질층은 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속, 및 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는유기 전자 소자
4 4
제3 항에 있어서,상기 개질층의 두께는 0
5 5
제3 항에 있어서,상기 그라핀 시트층은 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 도펀트로서 포함하는유기 전자 소자
6 6
제3 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방향족 유기물은 상기 그라핀 시트와 π-π 적층 상호 작용(stacking interaction)이 가능한 방향족 고리 화합물이며, 상기 방향족 고리화합물은 상기 그라핀 시트와 반응하는 전자 주개 작용기(electron donor group) 또는 전자 끌게 작용기(electron withdrawing group)를 포함하는 유기물인 유기 전자 소자
7 7
제6 항에 있어서,상기 방향족 유기물은 알킬기, 알콕사이드, 할라이드기, 아미노기 및 솔폰산기, 니트로기, 다이아조기로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 작용기를 포함하는 유기 전자 소자
8 8
제6 항에 있어서,상기 방향족 유기물은 6환, 5환 또는 7환의 방향족화합물이 2개 이상 고리짓기 (annulation)로 연결된 것을 특징으로 하는 유기물인 유기 전자 소자
9 9
제3 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속산화물, 상기 금속불소화물, 상기 금속염소화물 또는 상기 금속탄산염 중 어느 하나는 Au, Mo, W, Nb, Re, Rb, Cs, Li, K, Na, Cu, Ag, Ru, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ti, V, Mn, Fe, Co, Zn, Y, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, Hf, Ta, Os, Ir, Pt, Hg, Al, Ga, In, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Si, As, Se, Eu, Sm, Th, Ac, Ce, Zr 및 Pr로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 금속 원자를 포함하는유기 전자 소자
10 10
제3 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속 산화물은 MoO2, MoO3, V2O3, V2O4, V2O5, NbO, NbO2,Nb2O5, WO3, ReO3, ZrO2, Li2O, Na2O, RbO2, BeO, CaO, SrO, BaO, SiO2, TiO, TiO2, Ti2O3, Mn3O4, MnO, Mn2O3, MnO2, FeO, Fe3O4, ZnO2, MgO, SnO2, In2O3, CrO3, CuO, Cu2O, HfO2, Fe2O3, CoO, Co3O4, NiO, NiO2, CeO2, Y2O3, RuO2, Rh2O3, PdO, AgO, Ag2O, CdO, Ta2O5, TaO3, TaO2, ReO3, OsO4, IrO2, PtO2, Au2O3, HgO, Ga2O3, GeO2, SnO, PbO2, PbO, Sb2O3, Sb2O4, Sb2O5, Bi2O3, As2O3, As2O5, SeO2, Eu2O3, ZrSiO4, RbTiO3, RbSeO3, FeLiO2, FeMoO4, FeO3Ti, Fe2O4Zn, Fe2O5Ti, Fe5O12Y3, Fe12O19Sr, NiFeO4, Nb2O5Pb, NbO6Mn, MoO4Pb, MoO4Sr, MoO4Zn, AgOV, AgO4Re, Ag2CrO4, Ag2O, Ag2O4W, CdO3Zr, Ga5G3O12, TiReO4, PbSeO3, PbTiO3, PbZrO3, Bi2O7Ti2 및 Ce2O12W3 으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상인 유기 전자 소자
11 11
제3 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 알칼리 금속은 Li, Na, K, Rb, Cs 및 Fr로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상일 수 있으며, 상기 알칼리 토금속은 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Ra로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나 이상이며,상기 금속탄산염은 Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, Rb2CO3, Cs2CO3, Fr2CO3, BeCO3, MgCO3, CaCO3, SrCO3, BaCO3, RaCO3로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하니 이상인 유기 전자 소자
12 12
유기 전자 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 유기 기능층 및 상기 유기 기능층과 접하는 가요성 투명 전도층을 형성하는 과정을 포함하되,상기 기판 상에 상기 가요성 투명 전도층을 형성하는 과정은(a) 예비 기판 상에 그라파이트화 촉매를 제공하는 과정;(b) 상기 그라파이트화 촉매를 이용하는 화학 기상 증착법에 의해 그라핀 시트 층을 형성하는 과정;(c) 상기 형성된 그라핀 시트층을 상기 예비 기판으로부터 박리하는 과정; (d) 상기 박리된 그라핀 시트층을 상기 기판으로 전사하는 과정; 및(e) 상기 그라핀 시트층이 n형 또는 p형의 개질 특성을 갖도록 조작하는 과정을 포함하는유기 전자 소자의 제조 방법
13 13
제12 항에 있어서,상기 (e) 과정은상기 그라핀 시트층 및 상기 n형 또는 p형의 개질 특성을 갖도록 기능하는 개질층을 포함하는 복합층을 형성하는 과정을 포함하는 유기 전자 소자의 제조 방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 개질층은 0
15 15
제12 항에 있어서,상기 (e) 과정은 상기 그라핀 시트층에 개질을 위한 도펀트를 적층 또는 도핑하는 과정을 포함하는 유기 전자 소자의 제조 방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 개질층 또는 상기 도펀트는 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속, 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 유기 전자 소자의 제조 방법
17 17
제12 항에 있어서, 상기 (e) 과정은 열 증착, 전자빔 증착, 이온빔 증착, 스퍼터링 스핀(spin) 코팅, 롤(roll) 코팅, 스프레이 코팅, 딥(dip) 코팅, 플로(flow) 코팅, 닥터 블레이드(doctor blade)를 이용하는 디스펜싱(dispensing), 잉크젯프린팅, 옵셋(off-set) 프린팅, 스크린 프린팅, 패드(pad) 프린팅, 그라비아(gravure) 프린팅, 플랙소(flexography) 프린팅, 스탠실 프린팅, 임프린팅(imprinting), 제로그라피(xerography) 및 리소그라피(lithography) 방법으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나를 이용하여 수행되는 유기 전자 소자의 제조방법
18 18
양극 전극;상기 양극 전극과 이격되어 상기 양극 전극과 대향하는 음극 전극;상기 양극 전극과 상기 음극 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하되,상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 중 선택되는 적어도 어느 하나는 그라핀 시트층을 포함하는 가요성 투명 전극이며,상기 그라핀 시트층은 n형 또는 p형의 개질 특성을 가지며,상기 개질 변형을 위한 재료는 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속 및 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 유기 전계 발광 소자
19 19
양극 전극;상기 양극 전극과 이격되어 상기 양극 전극과 대향하는 음극 전극;상기 양극 전극과 상기 음극 전극 사이에 개재되는 유기 발광층을 포함하되,상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 중 선택되는 적어도 어느 하나는 그라핀 시트 층 및 개질층을 포함하는 가요성 투명 전극이며,상기 개질층은 상기 그라핀 시트층이 n형 또는 p형의 특성을 가지도록 개질하며,상기 개질층은 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속 및 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 유기 전계 발광 소자
20 20
제18항 또는 제19 항에 있어서,상기 유기물은 상기 그라핀 시트와 π-π 적층 상호 작용(stacking interaction)에 의한 결합을 하는 방향족 화합물, 상기 방향족 화합물은 상기 그라핀 시트와 반응하는 전자 주개 작용기(electron donor group) 또는 전자 끌게 작용기(electron withdrawing group)를 포함하는 유기 전계 발광 소자
21 21
제18항 또는 제19 항에 있어서,상기 그라핀 시트층은 상기 양극 전극으로 적용될 때, 상기 유기 발광층과의 사이에서 정공 주입층의 역할을 추가적으로 수행하고,상기 음극 전극으로 적용될 때, 상기 유기 발광층과의 사이에서 전자 주입층의 역할을 추가적으로 수행하는유기 전계 발광 소자
22 22
양극 전극;상기 양극 전극과 이격되어 상기 양극 전극과 대향하는 음극 전극;상기 양극 전극과 상기 음극 전극 사이에 개재되는 광활성층을 포함하되,상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 중 선택되는 적어도 어느 하나는 그라핀 시트층을 포함하는 가요성 투명 전도층이며,상기 그라핀 시트층은 n형 또는 p형의 개질 특성을 가지며,상기 개질을 위한 재료는 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속 및 알칼리토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 유기 태양 전지
23 23
양극 전극;상기 양극 전극과 이격되어 상기 양극 전극과 대향하는 음극 전극;상기 양극 전극과 상기 음극 전극 사이에 개재되는 광활성층을 포함하되,상기 양극 전극 및 상기 음극 전극 중 선택되는 적어도 어느 하나는 그라핀 시트 층 및 개질층을 포함하는 가요성 투명 전도층이며,상기 개질층은 상기 그라핀 시트층이 n형 또는 p형의 전도 특성을 가지도록 개질하며,상기 개질층은 방향족 유기물, 금속산화물, 금속불소화물, 금속염소화물, 금속탄산염, 알칼리금속 및 알칼리 토금속로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 유기 태양 전지
24 24
제22 항 또는 제23 항에 있어서,상기 유기물은 상기 그라핀 시트와 π-π 적층 상호 작용(stacking interaction)에 의한 결합을 하는 방향족 화합물이며, 상기 방향족 화합물은 상기 그라핀 시트와 반응하는 전자 주개 작용기(electron donor group) 또는 전자 끌게 작용기(electron withdrawing group)를 포함하는 유기 태양 전지
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1 교과부 정부)교과부-연구재단(구과학재단)21C 프론티어 테라급나노소자개발사업 나노소자용 식각장비 제작 및 공정개발