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개선된 스핀 주입 효율을 갖는 스핀 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014036329
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강자성체로부터 반도체로의 스핀 주입 효율이 높은 스핀 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 내부에 채널층이 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성된 003c#100003e# 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막;을 포함한다. 스핀 트랜지스터
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 29/66984(2013.01)
출원번호/일자 1020080087586 (2008.09.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1009726-0000 (2011.01.13)
공개번호/일자 10-2010-0028727 (2010.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.05)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장준연 대한민국 서울특별시 광진구
2 한석희 대한민국 서울특별시 노원구
3 구현철 대한민국 서울 성북구
4 김형준 대한민국 서울특별시 용산구
5 송진동 대한민국 서울특별시 성북구
6 심성훈 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0632178-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0022584-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0289921-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0554374-81
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0554372-90
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0442156-32
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0786912-75
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0786911-29
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0570930-89
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스핀 분극된 전자가 통과하는 채널층이 내부에 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층으로 스핀분극된 전자를 주입하는 강자성체 소스; 상기 소스로부터 이격되어 상기 반도체 기판 상에 형성되고, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 검출하기 위한 강자성체 드레인; 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 소스/드레인과 상기 반도체 기판 사이에 형성되고 003c#100003e# 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막 또는 유기터널링막을 포함하되, 상기 MgO 터널링막은, 상기 MgO 터널링막과 인접한 물질 간의 격자정합에 의해 003c#100003e#방향의 격자 상수가 평형 격자 상수값으로부터 벗어난 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서, 상기 인접한 물질은 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서, 상기 인접한 물질은 강자성체 물질인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 게이트 전압을 통해 스핀 궤도 결합에 의해 발생하는 유효자기장을 조절함으로써 상기 드레인에 도착한 스핀 전자의 자화방향에 따라 상기 스핀 트랜지스터의 채널 저항이 제어되는 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은 Fe, Co, Ni, FeCo, NiFe, CoFeB, Gd, Tb, Dy, CrO2, GaMnAs, InMnAs, GeMn, GaMnN 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인은 강자성 박막과 비자성 박막을 교대로 반복 적층한 구조를 갖고, 상기 채널층 상면에 수직인 방향으로 자화된 자성체인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
7 7
제6항에 있어서, 상기 강자성 박막은 CoFe, Co, Ni, NiFe 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
8 8
제6항에 있어서, 상기 비자성 박막은 Pd, Au, Pt 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
9 9
제1항에 있어서, 상기 채널층은 Si, Ge, GaAs, InAs, InSb 및 이들이 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 반도체 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
10 10
제1항에 있어서, 상기 채널층은 SOI 구조 내의 반도체로 형성되거나 또는 2차원 전자가스층으로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
11 11
제1항에 있어서, 상기 유기터널링막은 Alq3 및 펜타센(pentacene) 중에서 선택된 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
12 12
제1항에 있어서, 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 사이에는 003c#100003e# 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막과 유기터널링막이 배치된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
13 13
제12항에 있어서, 상기 유기터널링막 상에 상기 MgO 터널링막이 적층되거나, 상기 MgO 터널링막 상에 상기 유기터널링막이 적층된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
14 14
제1항에 있어서, 상기 강자성체 소스/드레인과 상기 반도체 사이에 003c#100003e# 방향의 결정성을 갖는 MgO 터널링막이 배치되고, 상기 소스 및 드레인과 상기 MgO 터널링막 사이에 형성된 B(붕소) 중간층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
15 15
제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인의 하부는 상기 반도체 기판 상면 아래로 매립된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.