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수직형 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014037000
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시 예에 있어서, 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 하부 전극층을 포함하는 기판을 준비한다. 상기 기판 상에 제1 절연막 패턴, 전도성 박막 패턴 및 제2 절연막 패턴을 포함하는 중간 구조물을 형성한다. 상기 중간 구조물의 상기 전도성 박막 패턴의 측벽에 유전체층을 형성한다. 상기 기판에 유기 반도체 화합물을 도입하여 상기 기판 상에 활성층을 형성한다. 상기 활성층 상에 상부 전극층을 형성한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01)
CPC H01L 51/057(2013.01) H01L 51/057(2013.01)
출원번호/일자 1020100047945 (2010.05.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1197145-0000 (2012.10.29)
공개번호/일자 10-2011-0089045 (2011.08.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100008345   |   2010.01.29
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍용택 대한민국 서울특별시 관악구
2 김동현 대한민국 서울특별시 동작구
3 정재욱 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남정길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 인화빌딩 *층 (삼성동)(특허법인(유한)아이시스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0328096-03
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0049523-79
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0432825-43
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0432798-08
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060908-52
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0421535-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0756177-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0756175-18
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.03.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0130021-73
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0192184-91
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0192191-11
14 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0450627-47
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
1 1
(a) 하부 전극층을 포함하는 기판을 준비하는 과정;(b) 상기 기판 상에 제1 절연막층, 전도성 박막층 패턴 및 제2 절연막층을 포함하는 중간 구조물을 형성하는 과정;(c) 상기 중간 구조물 중 상기 전도성 박막층 패턴의 측벽만 식각하여 제2 전도성 박막층 패턴을 형성하는 과정;(d) 상기 제2 전도성 박막층 패턴이 형성된 상기 기판 상에 유기 반도체 화합물을 비등방적으로 증착하되, 상기 증착 결과, 상기 (c) 단계에서 식각된 제2 전도성 박막층 패턴의 측벽과의 사이에 공기 갭이 존재하도록, 상기 유기 반도체 화합물로 구성된 활성층을 형성하는 과정; 및(e) 상기 활성층 상에 상부 전극층을 형성하는 과정을 포함하는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 (b) 과정은(b1) 상기 기판 상에, 제1 절연막, 전도성 박막 및 제2 절연막을 순차적으로 증착하는 과정; 및(b2) 상기 제1 절연막을 패터닝하여 상기 제1 절연막층을 형성하고, 상기 전도성 박막을 패터닝하여 상기 전도성 박막층 패턴을 형성하고, 상기 제2 절연막을 패터닝하여 상기 제2 절연막층을 형성하는 과정을 포함하는수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 (b2)과정은 포토마스크를 사용하는 포토리소그래피 공정, 전자빔 리소그래피 공정, 홀로그램 리소그래피 공정, 나노임프린트 공정 및 나노전사 공정으로 이루어지는 그룹에서 선택되는 어느 하나의 공정을 포함하는수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 (b) 과정은(b1) 상기 기판 상에 쉐도우 마스크를 배치하는 과정; 및(b2) 상기 쉐도우 마스크가 배치된 기판 상에 상기 제1 절연막층, 상기 전도성 박막층 패턴 및 상기 제2 절연막층을 순차적으로 증착하는 과정을 포함하는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
(a) 하부 전극층을 포함하는 기판을 준비하는 과정;(b) 상기 기판 상에 제1 절연막층, 전도성 박막층 패턴 및 제2 절연막층을 포함하는 중간 구조물을 형성하는 과정;(c1) 상기 중간 구조물 중 상기 전도성 박막층 패턴의 측벽만 식각하여 제2 전도성 박막층 패턴을 형성하는 과정;(c2) 상기 (c1) 과정에서 식각된 상기 제2 전도성 박막층 패턴의 측벽에 유기막을 채우는 과정;(d) 상기 (c2) 과정을 수행한 후, 상기 기판에 유기 반도체 화합물을 도입하여 상기 기판 상에 활성층을 형성하는 과정; 및(e) 상기 활성층 상에 상부 전극층을 형성하는 과정을 포함하는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
(a) 하부 전극층을 포함하는 기판을 준비하는 과정;(b) 상기 기판 상에 제1 절연막층, 전도성 박막층 패턴 및 제2 절연막층을 포함하는 중간 구조물을 형성하는 과정;(c1) 상기 중간 구조물 중 상기 전도성 박막 패턴의 측벽만 식각하여 제2 전도성 박막층 패턴을 형성하는 과정;(c2) 상기 (c1) 과정에서 제2 전도성 박막층 패턴이 형성된 상기 기판상에 유기 유전물질을 제공하는 과정;(c3) 비등방성 식각 공정을 적용하여 상기 유기 유전물질을 식각하여 상기 제2 전도성 박막층 패턴의 측벽에 유기 유전체층을 형성하는 과정;(d) 상기 (c3) 과정을 수행한 후, 상기 기판에 유기 반도체 화합물을 도입하여 상기 기판 상에 활성층을 형성하는 과정; 및(e) 상기 활성층 상에 상부 전극층을 형성하는 과정을 포함하는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 (c2) 과정의 유기 유전 물질은 PMMA 또는 PVP 이며, 스핀 코팅법에 의하여 상기 유기 유전물질이 상기 기판 상에 제공되는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 (c1) 과정의 상기 전도성 박막 패턴의 측벽을 식각하는 과정은 건식 식각 또는 습식 식각 공정에 의하여 이루어지는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
삭제
14 14
제1 항에 있어서,상기 유기 반도체 화합물은 펜타센, 테트라센, 올리고티오펜 또는 올리고플로렌 중 어느 하나인 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제1 항에 있어서,상기 (d) 과정의 상기 증착은 스핀 코팅법 또는 진공 증착법을 통하여 이루어지는 수직형 박막 트랜지스터의 제조 방법
16 16
기판 상에 배치되는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 순차적으로 배치되는 제1 절연막층, 전도성 박막층 패턴 및 제2 절연막층;상기 전도성 박막층 패턴과 인접하여 배치되는 활성층;상기 활성층과 상기 전도성 박막층 패턴의 측면 사이에 배치되는 공기층; 및상기 활성층 상에 배치되는 상부 전극층을 포함하되,상기 전도성 박막 패턴은 외부로부터 인가되는 전압에 의하여 상기 활성층 내에 전기장을 형성하고, 상기 전기장은 상기 하부 전극층과 상기 상부 전극층 사이에서 이동하는 전하의 흐름을 제어하는 수직형 박막 트랜지스터
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
제16 항에 있어서,상기 전도성 박막층 패턴은 게이트 전극으로 기능하는 수직형 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 IT산업원천기술개발사업 플렉시블 복합 기능유기전자 소자 기반 기술개발