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광감지용 유기 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015159551
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광감지용 유기 박막 트랜지스터에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는 기판과, 게이트 전극과, 게이트 절연체, 활성층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 유기 박막 트랜지스터에 있어서 활성층이 이중 박막 구조인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 유기 반도체의 활성층에 빛이 조사되면 트랜지스터의 온(on) 상태의 전류가 빛이 세기에 따라 비례하여 크게 감소하며 일정한 빛 세기 이상에서는 전류가 오프(off) 상태 수준으로 감소하고, 빛에 의해 트랜지스터가 오프 상태가 되었더라도 필요할 경우 원래 상태로 회복할 수 있어서 반복적인 사용이 가능하다.유기 박막 트랜지스터, 이중 박막구조, 광감응도, 광감지 퓨즈
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/786 (2011.01)
CPC H01L 51/0566(2013.01) H01L 51/0566(2013.01)
출원번호/일자 1020070018186 (2007.02.23)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0824065-0000 (2008.04.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울 강남구
2 박경민 대한민국 충남 아산시
3 곽정훈 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0159095-44
2 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0015837-64
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판과;상기 기판의 소정영역 상에 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연체와;상기 게이트 절연체 상에 형성된 n-형 유기 반도체 박막과;상기 n-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 p-형 유기 반도체 박막과;상기 p-형 유기 반도체 박막 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극이 구비되는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
2 2
기판과;상기 기판의 소정영역 상에 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연체와;상기 게이트 절연체 상에 형성된 p-형 유기 반도체 박막과;상기 p-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 n-형 유기 반도체 박막과;상기 n-형 유기 반도체 박막 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극이 구비되는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
3 3
기판과;상기 기판의 소정영역 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과;상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 각각 형성된 n-형 유기 반도체 박막과;상기 n-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 p-형 유기 반도체 박막과;상기 p-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 게이트 절연체와;상기 게이트 절연체 상에 적층된 게이트 전극이 구비되는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
4 4
기판과;상기 기판의 소정영역 상에 각각 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과;상기 소스 전극 및 드레인 전극 상에 각각 형성된 p-형 유기 반도체 박막과;상기 p-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 n-형 유기 반도체 박막과;상기 n-형 유기 반도체 박막 상에 형성된 게이트 절연체와;상기 게이트 절연체 상에 적층된 게이트 전극이 구비되는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
5 5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 n-형 유기 반도체 박막은 플러렌 박막이며, 상기 p-형 유기 반도체 박막은 펜타센 박막인 것을 특징으로 하는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
6 6
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 적어도 일부 소정영역은 은 전도성 고분자, 은 나노 입자 또는 금 나노입자 중에서 선택된 어느 하나가 분산된 전도성 잉크로 형성되는 것을 특징으로 하는 광감지용 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.