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다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015160959
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 특성을 향상시키기 위한 도핑 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 적층 형성된 다결정 실리콘 박막, 게이트 절연막 및 게이트 전극 상에 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 도핑을 위한 도펀트를 주입할 시에, 소스 드레인/부분과 GOLDD(Gate Overlapped Lightly Doped Drain) 영역이 동시에 형성되도록 도펀트를 미리 설정된 각도로 사선 방향으로 주입한다.박막트랜지스터, 도펀트, GOLDD, 다결정
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78627(2013.01) H01L 29/78627(2013.01) H01L 29/78627(2013.01) H01L 29/78627(2013.01)
출원번호/일자 1020050015986 (2005.02.25)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0793278-0000 (2008.01.03)
공개번호/일자 10-2006-0095087 (2006.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20080110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시 강남구
2 이재훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0102400-95
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0610985-89
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0963174-11
4 의견서
Written Opinion		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0963176-02
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0201527-44
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0438851-77
7 의견서
Written Opinion		 2007.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0438852-12
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0540141-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 박막, 예정된 채널 영역에서 상기 반도체 박막의 표면과 접촉하여 형성되는 게이트 절연막 및 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극을 포함하는 적층 구조를 가지며, 평면 기판 상에 성형되는 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법에 있어서,상기 기판 상에 적층 형성된 다결정 실리콘 박막, 게이트 절연막 및 게이트 전극 상에 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 도핑을 위한 도펀트를 주입하는 과정과,상기 도펀트 이온 주입후, 상기 도펀트의 활성화 및 소스/드레인 실리콘 박막의 재결정화를 위해 레이저광을 입사하는 과정을 포함하며, 상기 도펀트 주입 과정에서, 소스/드레인 부분과 GOLDD(Gate Overlapped Lightly Doped Drain) 영역이 동시에 형성되도록 상기 도펀트를 사선 방향으로 주입함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 GOLDD 영역의 길이를 조절하기 위하여 상기 게이트 절연막의 두께와 상기 도펀트의 사선 입사각을 미리 설정함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도펀트 주입 각도는 15도 내지 75도 사이임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도펀트 주입 각도는 45도임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.