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높은 전하 이동도를 갖는 산화물 반도체 제조 시스템 및 방법

  • 기술번호 : KST2014058499
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체를 제조하는 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 BaSnO3에 불순물 주입을 통해 전하를 유도하면서도 불순물에 의한 산란을 최소화하기 위해 Ba 자리에 La을 치환함으로써 높은 전하 이동도를 얻는다. 본 발명에서는 시작 물질로 BaCO3, SnO2, La2O3를 사용하여 (Ba,La)SnO3 단결정을 합성하는 방법과 시작 물질로 다결정 BaSnO3를 사용하여 (Ba,La)SnO3 단결정을 합성하는 방법을 제안한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01)
출원번호/일자 1020120102418 (2012.09.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1337297-0000 (2013.11.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.14)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 관악구
2 김태훈 대한민국 서울특별시 관악구
3 이웅재 대한민국 서울특별시 관악구
4 홍광택 대한민국 서울특별시 관악구
5 김기훈 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인우인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 중평빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0746818-23
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0116589-01
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0830881-94
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0832618-49
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063573-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570402-08
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0938630-85
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0938631-20
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0798204-44
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
바륨(Ba) 성분이 포함된 산화물, 주석(Sn) 성분이 포함된 산화물, 란탄족 성분이나 이트륨(Y) 성분이 포함된 산화물, 및 용제(flux)가 혼합된 혼합물을 생성하는 혼합물 생성 단계;상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분 자리에 도핑된 상기 혼합물을 온도, 속도 및 시간 중 적어도 하나의 조건에 따라 가열시키고 냉각시켜 상기 혼합물을 성장시키는 혼합물 성장 단계;성장된 혼합물로부터 상기 용제를 제거하는 용제 제거 단계; 및상기 용제가 제거된 혼합물을 이용하여 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분과 함께 포함된 산화물 반도체를 제조하는 산화물 반도체 제조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 혼합물 생성 단계는 상기 용제로 구리(Cu) 성분이 포함된 산화물, 칼륨(K) 성분이 포함된 화합물, 및 납(Pb) 성분이 포함된 산화물 중 어느 하나의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 용제로 상기 구리 성분이 포함된 산화물이나 상기 납 성분이 포함된 산화물을 이용할 때, 상기 혼합물 생성 단계는 상기 바륨 성분이 포함된 산화물 1몰에 대하여 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 포함된 산화물, 상기 주석 성분이 포함된 산화물 및 상기 용제를 각각 0 초과 ~ 0
4 4
제 2 항에 있어서,상기 용제 제거 단계는 상기 용제를 침식(erosion)시키는 용매를 이용하여 상기 성장된 혼합물로부터 상기 용제를 제거하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 용제로 상기 구리 성분이 포함된 산화물을 이용할 때, 상기 용제 제거 단계는 상기 용매로 질산이나 염산을 이용하며,상기 용제로 상기 납 성분이 포함된 산화물이나 상기 칼륨 성분이 포함된 화합물을 이용할 때, 상기 용제 제거 단계는 상기 용매로 질산이나 물을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 혼합물 성장 단계는,제1 설정 온도에 도달할 때까지 제1 속도로 온도가 상승하도록 상기 혼합물을 가열시키는 혼합물 가열 단계;상기 제1 설정 온도에 도달하면 제1 시간동안 상기 혼합물의 상태를 관찰하는 혼합물 관찰 단계; 및상기 제1 시간이 경과하면 제2 설정 온도에 도달할 때까지 상기 제1 속도보다 느린 제2 속도로 온도가 하강하도록 상기 혼합물을 냉각시켜 상기 혼합물을 성장시키는 혼합물 냉각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 용제로 구리 성분이 포함된 산화물을 이용할 때,상기 혼합물 가열 단계는 상기 제1 설정 온도로 1200~1300℃를 이용하고 상기 제1 속도로 100~300℃/hr를 이용하며,상기 혼합물 관찰 단계는 상기 제1 시간으로 6~24시간을 이용하며,상기 혼합물 냉각 단계는 상기 제2 설정 온도로 900~1000℃를 이용하고 상기 제2 속도로 0
8 8
제 1 항에 있어서,상기 혼합물을 용기에 저장시키는 혼합물 저장 단계; 및상기 혼합물이 저장된 용기를 고온로 내부로 이송시키는 용기 이송 단계를 더욱 포함하며,상기 혼합물 성장 단계는 상기 고온로 내부에서 상기 혼합물을 성장시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 제조 단계는 상기 산화물 반도체로 투명한 산화물 반도체를 제조하거나,상기 산화물 반도체 제조 방법은 제조된 산화물 반도체를 반도체 소자의 동작 속도를 향상시키려고 할 때 기판 제작에 이용되거나 태양 전지나 디스플레이 장치를 제조할 때 이용되는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
10 10
바륨(Ba) 성분이 포함된 산화물, 주석(Sn) 성분이 포함된 산화물, 란탄족 성분이나 이트륨(Y) 성분이 포함된 산화물, 및 용제(flux)가 혼합된 혼합물을 생성하는 혼합물 생성부;상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분 자리에 도핑된 상기 혼합물을 온도, 속도 및 시간 중 적어도 하나의 조건에 따라 가열시키고 냉각시켜 상기 혼합물을 성장시키는 혼합물 성장부;성장된 혼합물로부터 상기 용제를 제거하는 용제 제거부; 및상기 용제가 제거된 혼합물을 이용하여 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분과 함께 포함된 산화물 반도체를 제조하는 산화물 반도체 제조부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 시스템
11 11
제 10 항에 있어서,상기 혼합물 생성부는 상기 용제로 구리(Cu) 성분이 포함된 산화물, 칼륨(K) 성분이 포함된 화합물, 및 납(Pb) 성분이 포함된 산화물 중 어느 하나의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 시스템
12 12
바륨(Ba) 성분과 주석(Sn) 성분이 포함된 산화물에 란탄족 성분이나 이트륨(Y) 성분이 도핑된 다금속 산화물을 용제(flux)와 혼합시켜 혼합물을 생성하는 혼합물 생성 단계;상기 혼합물을 온도, 속도 및 시간 중 적어도 하나의 조건에 따라 가열시키고 냉각시켜 상기 혼합물을 성장시키는 혼합물 성장 단계;성장된 혼합물로부터 상기 용제를 제거하는 용제 제거 단계; 및상기 용제가 제거된 혼합물을 이용하여 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분과 함께 포함된 산화물 반도체를 제조하는 산화물 반도체 제조 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 혼합물 생성 단계는 다음 수식에 따른 성분비로 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분 자리에 도핑된 산화물을 상기 다금속 산화물로 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,고체상 반응(solid state reaction)을 이용하여 상기 바륨 성분, 상기 란탄족 성분과 상기 이트륨 성분 중 어느 하나의 성분, 및 상기 주석 성분을 합성시켜 상기 다금속 산화물을 생성하는 산화물 생성 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 혼합물 생성 단계는 상기 용제로 구리(Cu) 성분이 포함된 산화물, 칼륨(K) 성분이 포함된 화합물, 및 납(Pb) 성분이 포함된 산화물 중 어느 하나의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 용제로 상기 구리 성분이 포함된 산화물이나 상기 납 성분이 포함된 산화물을 이용할 때, 상기 혼합물 생성 단계는 상기 다금속 산화물 1몰에 대하여 상기 용제를 5~100의 몰비율로 혼합시키며,상기 용제로 상기 칼륨 성분이 포함된 화합물을 이용할 때, 상기 혼합물 생성 단계는 상기 다금속 산화물 1몰에 대하여 상기 용제를 6~100의 몰비율로 혼합시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 방법
17 17
바륨(Ba) 성분과 주석(Sn) 성분이 포함된 산화물에 란탄족 성분이나 이트륨(Y) 성분이 도핑된 다금속 산화물을 용제(flux)와 혼합시켜 혼합물을 생성하는 혼합물 생성부;상기 혼합물을 온도, 속도 및 시간 중 적어도 하나의 조건에 따라 가열시키고 냉각시켜 상기 혼합물을 성장시키는 혼합물 성장부;성장된 혼합물로부터 상기 용제를 제거하는 용제 제거부; 및상기 용제가 제거된 혼합물을 이용하여 상기 란탄족 성분이나 상기 이트륨 성분이 상기 바륨 성분과 함께 포함된 산화물 반도체를 제조하는 산화물 반도체 제조부를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 시스템
18 18
제 17 항에 있어서,고체상 반응(solid state reaction)을 이용하여 상기 바륨 성분, 상기 란탄족 성분과 상기 이트륨 성분 중 어느 하나의 성분, 및 상기 주석 성분을 합성시켜 상기 다금속 산화물을 생성하는 산화물 생성부를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 제조 시스템
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1 교육과학기술부 서울대학교 산학협력단 창의적 연구사업 첨단복합물질상태 연구단